ICCSZ訊(編輯:Anton)11月12日,由國家信息光電子創(chuàng)新中心主辦的第二屆中國硅光產(chǎn)業(yè)論壇在武漢成功舉辦。國家信息光電子創(chuàng)新中心副董事長毛浩在會(huì)上表示,硅光產(chǎn)業(yè)論壇將產(chǎn)業(yè)鏈匯聚一起,探討硅光技術(shù)的應(yīng)用和發(fā)展。近年來經(jīng)過調(diào)查與實(shí)踐,硅光技術(shù)被認(rèn)為是行業(yè)需要突破的產(chǎn)業(yè)共性瓶頸以及未來的發(fā)展方向。隨著5G商用,5G承載場景對(duì)硅光技術(shù)的需求更加明顯,在已經(jīng)實(shí)現(xiàn)規(guī)模商用的數(shù)據(jù)中心市場中,硅光產(chǎn)品也在不斷向更高速階段沖擊,例如阿里巴巴推出400G DR4硅光模塊。
國家信息光電子創(chuàng)新中心成立的意義在于匯聚全行業(yè)鏈資源,推動(dòng)人才、技術(shù)和資本等社會(huì)資源的融合,促進(jìn)新技術(shù)的商用化,不與上下游競爭,發(fā)揮產(chǎn)業(yè)資源最大優(yōu)勢,突破硅光產(chǎn)業(yè)的發(fā)展瓶頸。
在論壇上,國家信息光電子創(chuàng)新中心傅焰峰博士發(fā)表《國家信息光電子創(chuàng)新中心建設(shè)與發(fā)展》的主題報(bào)告,向行業(yè)詳細(xì)介紹了國家信息光電子創(chuàng)新中心建設(shè)及成立以來取得的成果。
2018年4月26日,承載著解決我國信息光電子制造業(yè)“關(guān)鍵和共性技術(shù)協(xié)同研發(fā),實(shí)現(xiàn)首次商業(yè)化”戰(zhàn)略任務(wù)的國家信息光電子創(chuàng)新中心在武漢正式掛牌成立。在目前國內(nèi)光通信產(chǎn)業(yè)鏈科研和應(yīng)用實(shí)力強(qiáng),開發(fā)和驗(yàn)證能力弱的背景下,國家信息光電子創(chuàng)新中心依托國內(nèi)領(lǐng)先的芯片工藝開發(fā)和中試驗(yàn)證平臺(tái),希望能夠打通產(chǎn)學(xué)研之間的“死亡谷”,實(shí)現(xiàn)高端光芯片的自主可控。
關(guān)鍵設(shè)施設(shè)備提升 提供高效對(duì)外服務(wù)
傅焰峰表示,在III-V族光芯片試驗(yàn)證平臺(tái)上,我們在已有的工藝上對(duì)光刻、外延、鍍膜等關(guān)鍵設(shè)施和裝備進(jìn)行了補(bǔ)充和提升,掌握了完整的高速DFB、VCSEL、EML激光器、探測器芯片等InP、GaAs光芯片加工工藝,完全具備對(duì)外服務(wù)能力。
硅光平臺(tái)方面有國內(nèi)首套自動(dòng)化8/12寸硅光晶圓篩檢系統(tǒng)以及高速硅基芯片測試系統(tǒng)。已經(jīng)開始對(duì)中科院、華科、中山大學(xué)在內(nèi)的20余家企業(yè)和高效提供對(duì)外服務(wù)。
光電子封測平臺(tái)已建成手動(dòng)和半自動(dòng)耦合封裝系統(tǒng),另外采購了全自動(dòng)光電子芯片封裝系統(tǒng)。在光纖放大器和激光器測試上已經(jīng)開始對(duì)外服務(wù)。
應(yīng)用技術(shù)開發(fā)平臺(tái)已建成國內(nèi)領(lǐng)先的“超高速、超大容量、超長跨距”光傳輸技術(shù)驗(yàn)證平臺(tái),支持光器件的Pb/s級(jí)、萬km光纖傳輸系統(tǒng)功能驗(yàn)證,可提供光纖激光器、光學(xué)傳感、空間光等新興應(yīng)用的測試和驗(yàn)證服務(wù)。
成功研制首款 100G硅光芯片 2020年Q1 400G硅光模塊送樣
在成果方面,創(chuàng)新中心研制出國內(nèi)首款1*100G硅光調(diào)制器芯片和模塊樣機(jī),預(yù)計(jì)2020年第一季度實(shí)現(xiàn)400G硅光模塊送樣。另外在研的有25G波長可調(diào)光芯片,主要應(yīng)用與5G前傳光模塊,創(chuàng)新中心與光迅聯(lián)合研制25G可調(diào)諧光發(fā)射組件,實(shí)現(xiàn)硅基調(diào)制器與III-V SG-DBR可調(diào)激光器芯片混合集成,于今年第三季度出樣,國際上尚未有同類商用產(chǎn)品問世。
創(chuàng)新中心還與中山大學(xué)蔡鑫倫團(tuán)隊(duì)聯(lián)合研發(fā)超高速LN薄膜光調(diào)制器芯片,單通道調(diào)制速率達(dá)120Gbaud NRZ,220Gb/s PAM4。與中科院祁楠團(tuán)隊(duì)聯(lián)合開發(fā)5G光模塊所需的高速CMOS TIA和驅(qū)動(dòng)器芯片。隨后在國內(nèi)率先完成50Gb/s PAM4硅基光電子集成,相關(guān)成果已投稿IEEE JSSC特邀報(bào)道。
整合產(chǎn)業(yè)資源 協(xié)同發(fā)展
國家信息光電子創(chuàng)新中心成立后,重點(diǎn)針對(duì)我國“缺芯”問題,重點(diǎn)補(bǔ)充提升平臺(tái)的關(guān)鍵設(shè)施,裝備及封裝、檢測能力。經(jīng)過了一年多的發(fā)展,攻克了100G硅光收發(fā)芯片的研制和生產(chǎn),為企業(yè)和高校提供優(yōu)質(zhì)對(duì)外服務(wù),未來也將充分整合產(chǎn)業(yè)鏈資源,與業(yè)界同行廣泛合作,為提高芯片國產(chǎn)供給率貢獻(xiàn)出自己的力量!