ICCSZ訊(編輯:Anton)11月12日,由國家信息光電子創(chuàng)新中心主辦的第二屆中國硅光產(chǎn)業(yè)論壇在武漢成功舉辦。國家信息光電子創(chuàng)新中心副董事長毛浩在會上表示,硅光產(chǎn)業(yè)論壇將產(chǎn)業(yè)鏈匯聚一起,探討硅光技術的應用和發(fā)展。近年來經(jīng)過調(diào)查與實踐,硅光技術被認為是行業(yè)需要突破的產(chǎn)業(yè)共性瓶頸以及未來的發(fā)展方向。隨著5G商用,5G承載場景對硅光技術的需求更加明顯,在已經(jīng)實現(xiàn)規(guī)模商用的數(shù)據(jù)中心市場中,硅光產(chǎn)品也在不斷向更高速階段沖擊,例如阿里巴巴推出400G DR4硅光模塊。
國家信息光電子創(chuàng)新中心成立的意義在于匯聚全行業(yè)鏈資源,推動人才、技術和資本等社會資源的融合,促進新技術的商用化,不與上下游競爭,發(fā)揮產(chǎn)業(yè)資源最大優(yōu)勢,突破硅光產(chǎn)業(yè)的發(fā)展瓶頸。
在論壇上,國家信息光電子創(chuàng)新中心傅焰峰博士發(fā)表《國家信息光電子創(chuàng)新中心建設與發(fā)展》的主題報告,向行業(yè)詳細介紹了國家信息光電子創(chuàng)新中心建設及成立以來取得的成果。
2018年4月26日,承載著解決我國信息光電子制造業(yè)“關鍵和共性技術協(xié)同研發(fā),實現(xiàn)首次商業(yè)化”戰(zhàn)略任務的國家信息光電子創(chuàng)新中心在武漢正式掛牌成立。在目前國內(nèi)光通信產(chǎn)業(yè)鏈科研和應用實力強,開發(fā)和驗證能力弱的背景下,國家信息光電子創(chuàng)新中心依托國內(nèi)領先的芯片工藝開發(fā)和中試驗證平臺,希望能夠打通產(chǎn)學研之間的“死亡谷”,實現(xiàn)高端光芯片的自主可控。
關鍵設施設備提升 提供高效對外服務
傅焰峰表示,在III-V族光芯片試驗證平臺上,我們在已有的工藝上對光刻、外延、鍍膜等關鍵設施和裝備進行了補充和提升,掌握了完整的高速DFB、VCSEL、EML激光器、探測器芯片等InP、GaAs光芯片加工工藝,完全具備對外服務能力。
硅光平臺方面有國內(nèi)首套自動化8/12寸硅光晶圓篩檢系統(tǒng)以及高速硅基芯片測試系統(tǒng)。已經(jīng)開始對中科院、華科、中山大學在內(nèi)的20余家企業(yè)和高效提供對外服務。
光電子封測平臺已建成手動和半自動耦合封裝系統(tǒng),另外采購了全自動光電子芯片封裝系統(tǒng)。在光纖放大器和激光器測試上已經(jīng)開始對外服務。
應用技術開發(fā)平臺已建成國內(nèi)領先的“超高速、超大容量、超長跨距”光傳輸技術驗證平臺,支持光器件的Pb/s級、萬km光纖傳輸系統(tǒng)功能驗證,可提供光纖激光器、光學傳感、空間光等新興應用的測試和驗證服務。
成功研制首款 100G硅光芯片 2020年Q1 400G硅光模塊送樣
在成果方面,創(chuàng)新中心研制出國內(nèi)首款1*100G硅光調(diào)制器芯片和模塊樣機,預計2020年第一季度實現(xiàn)400G硅光模塊送樣。另外在研的有25G波長可調(diào)光芯片,主要應用與5G前傳光模塊,創(chuàng)新中心與光迅聯(lián)合研制25G可調(diào)諧光發(fā)射組件,實現(xiàn)硅基調(diào)制器與III-V SG-DBR可調(diào)激光器芯片混合集成,于今年第三季度出樣,國際上尚未有同類商用產(chǎn)品問世。
創(chuàng)新中心還與中山大學蔡鑫倫團隊聯(lián)合研發(fā)超高速LN薄膜光調(diào)制器芯片,單通道調(diào)制速率達120Gbaud NRZ,220Gb/s PAM4。與中科院祁楠團隊聯(lián)合開發(fā)5G光模塊所需的高速CMOS TIA和驅(qū)動器芯片。隨后在國內(nèi)率先完成50Gb/s PAM4硅基光電子集成,相關成果已投稿IEEE JSSC特邀報道。
整合產(chǎn)業(yè)資源 協(xié)同發(fā)展
國家信息光電子創(chuàng)新中心成立后,重點針對我國“缺芯”問題,重點補充提升平臺的關鍵設施,裝備及封裝、檢測能力。經(jīng)過了一年多的發(fā)展,攻克了100G硅光收發(fā)芯片的研制和生產(chǎn),為企業(yè)和高校提供優(yōu)質(zhì)對外服務,未來也將充分整合產(chǎn)業(yè)鏈資源,與業(yè)界同行廣泛合作,為提高芯片國產(chǎn)供給率貢獻出自己的力量!