愛發(fā)科和美國JDSU聯(lián)合開發(fā)出低缺陷的光學(xué)薄膜濺鍍?cè)O(shè)備

    【日經(jīng)BP社報(bào)道】日本愛發(fā)科（ULVAC）和美國JDS Uniphase公司（JDSU）開發(fā)出了能夠高效生產(chǎn)缺陷僅為原來1/10的光學(xué)薄膜的濺鍍?cè)O(shè)備“ULDiS-200UCP”。該設(shè)備采用JDSU的專利技術(shù)“Meta-mode”，由愛發(fā)科開發(fā)。愛發(fā)科將以歐美以外的亞洲為中心進(jìn)行銷售。

為了以高畫質(zhì)顯示高清電視及數(shù)字電影等高精細(xì)映像，要求投影機(jī)和背投電視等光學(xué)系統(tǒng)元器件必須具備很高的精度。此次的設(shè)備不僅適用于投影燈的反射鏡片、全反射鏡片以及濾光片等表面光學(xué)薄膜以及防反光薄膜的形成，還可用于MEMS光學(xué)元件的反射面以及封裝玻璃表面的加工處理。有了該設(shè)備，過去依靠JDSU公司進(jìn)行成膜的成品廠商將可自行加工。

此次開發(fā)的設(shè)備與2004年愛發(fā)科根據(jù)與JDSU簽訂的授權(quán)合同開發(fā)的“ULDiS-903CHL”相比，具有如下特點(diǎn)：（1）底板尺寸支持更大的面積，現(xiàn)有設(shè)備為對(duì)角長度75mm，而新設(shè)備則為直徑200mm；（2）薄膜缺陷數(shù)由現(xiàn)有設(shè)備的每平厘米數(shù)個(gè)減小至0.1個(gè)；（3）成膜率得到了提高。現(xiàn)有設(shè)備使用硅時(shí)成膜率為0.6nm/秒，用鈮則為0.3nm/秒，而新設(shè)備均為1nm/秒。

為了形成Si氧化膜等光學(xué)薄膜，“Meta-mode”技術(shù)通過連續(xù)完成先進(jìn)行成膜速度很快的金屬膜濺鍍?cè)龠M(jìn)行氧化的過程，具備很高的生產(chǎn)效率?，F(xiàn)有設(shè)備由于要在設(shè)備內(nèi)部轉(zhuǎn)動(dòng)裝有底板的工作臺(tái)，因此無法減少污染導(dǎo)致的缺陷。而新設(shè)備不用移動(dòng)底板即可進(jìn)行成膜，因此可減少缺陷的產(chǎn)生。另外，作為現(xiàn)有設(shè)備來說，在膜與底板之間的界面上產(chǎn)生缺陷后還會(huì)影響到光學(xué)性能。而使用新設(shè)備，幾乎看不到這個(gè)界面。

該設(shè)備售價(jià)2億日元～2億2000萬日元，訂貨后5～7個(gè)月即可交貨?，F(xiàn)有設(shè)備由于能夠在更低的溫度下進(jìn)行濺鍍處理，因此將面向塑料濺鍍等用途繼續(xù)銷售。（記者：大西 順雄）