ICC訊 韓國(guó)三星電子將投入2,300億美元在韓國(guó)首爾近郊興建五座晶圓廠,但晶圓代工龍頭臺(tái)積電更勝一籌。臺(tái)積電的3奈米及2奈米大投資計(jì)劃,預(yù)計(jì)會(huì)在中國(guó)臺(tái)灣興建逾十座晶圓廠,不論由制程推進(jìn)、產(chǎn)能規(guī)模、良率表現(xiàn)等各方面來看,三星要追趕上臺(tái)積電仍有很長(zhǎng)的路要走。
臺(tái)積電看好3奈米制程世代將會(huì)是另一個(gè)大規(guī)模且有長(zhǎng)期需求的制程技術(shù)。臺(tái)積電日前法人說明會(huì)指出,盡管庫(kù)存調(diào)整仍在持續(xù),但已觀察到3奈米N3制程和N3E制程皆有許多客戶參與,量產(chǎn)第一年和第二年產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案數(shù)量將是5奈米N5制程2倍以上。
臺(tái)積電3奈米制程技術(shù)無論在PPA(效能、功耗及面積)及晶體管技術(shù)上,都已是全球半導(dǎo)體業(yè)界最先進(jìn)的技術(shù)。因此,臺(tái)積電預(yù)期客戶在2023年、2024年、2025年及以后,對(duì)3奈米制程技術(shù)皆有強(qiáng)勁需求。而臺(tái)積電已全力拉升3奈米產(chǎn)能,下半年將可帶來明顯營(yíng)收挹注。
臺(tái)積電3奈米生產(chǎn)重鎮(zhèn)以南科Fab 18廠區(qū)為主體,已完成Fab 18廠區(qū)第五期至第八期共四座3奈米晶圓廠,未來將視市場(chǎng)需求決定是否興建第九期的3奈米晶圓廠。而臺(tái)積電已宣布將會(huì)在美國(guó)亞利桑那州Fab 21廠區(qū)興建第二期3奈米晶圓廠,預(yù)估2025年之后可以進(jìn)入量產(chǎn)。
至于臺(tái)積電正在準(zhǔn)備的2奈米晶圓廠,預(yù)計(jì)會(huì)落腳在新竹與臺(tái)中科學(xué)園區(qū),共計(jì)有六期工程,已按計(jì)劃持續(xù)進(jìn)展中。根據(jù)臺(tái)積電公布資料,臺(tái)積電在竹科寶山二期興建的2奈米超大型晶圓廠Fab 20,將會(huì)興建第一期到第四期共4座晶圓廠,臺(tái)積電正在爭(zhēng)取中科臺(tái)中園區(qū)擴(kuò)建二期開發(fā)計(jì)劃的建廠用地,在取得用地后會(huì)再興建2座2奈米晶圓廠。
由此來看,臺(tái)積電未來五年當(dāng)中,在中國(guó)臺(tái)灣的3奈米及2奈米晶圓廠合計(jì)將逾十座,以先進(jìn)制程月產(chǎn)能3萬片晶圓廠投資金額約200億美元來看,總投資金額將超過2,000億美元,并且?guī)?dòng)包括材料、設(shè)備等臺(tái)積電大聯(lián)盟生態(tài)圈龐大商機(jī)。