ICC訊 韓國三星電子將投入2,300億美元在韓國首爾近郊興建五座晶圓廠,但晶圓代工龍頭臺積電更勝一籌。臺積電的3奈米及2奈米大投資計劃,預計會在中國臺灣興建逾十座晶圓廠,不論由制程推進、產(chǎn)能規(guī)模、良率表現(xiàn)等各方面來看,三星要追趕上臺積電仍有很長的路要走。
臺積電看好3奈米制程世代將會是另一個大規(guī)模且有長期需求的制程技術。臺積電日前法人說明會指出,盡管庫存調(diào)整仍在持續(xù),但已觀察到3奈米N3制程和N3E制程皆有許多客戶參與,量產(chǎn)第一年和第二年產(chǎn)品設計定案數(shù)量將是5奈米N5制程2倍以上。
臺積電3奈米制程技術無論在PPA(效能、功耗及面積)及晶體管技術上,都已是全球半導體業(yè)界最先進的技術。因此,臺積電預期客戶在2023年、2024年、2025年及以后,對3奈米制程技術皆有強勁需求。而臺積電已全力拉升3奈米產(chǎn)能,下半年將可帶來明顯營收挹注。
臺積電3奈米生產(chǎn)重鎮(zhèn)以南科Fab 18廠區(qū)為主體,已完成Fab 18廠區(qū)第五期至第八期共四座3奈米晶圓廠,未來將視市場需求決定是否興建第九期的3奈米晶圓廠。而臺積電已宣布將會在美國亞利桑那州Fab 21廠區(qū)興建第二期3奈米晶圓廠,預估2025年之后可以進入量產(chǎn)。
至于臺積電正在準備的2奈米晶圓廠,預計會落腳在新竹與臺中科學園區(qū),共計有六期工程,已按計劃持續(xù)進展中。根據(jù)臺積電公布資料,臺積電在竹科寶山二期興建的2奈米超大型晶圓廠Fab 20,將會興建第一期到第四期共4座晶圓廠,臺積電正在爭取中科臺中園區(qū)擴建二期開發(fā)計劃的建廠用地,在取得用地后會再興建2座2奈米晶圓廠。
由此來看,臺積電未來五年當中,在中國臺灣的3奈米及2奈米晶圓廠合計將逾十座,以先進制程月產(chǎn)能3萬片晶圓廠投資金額約200億美元來看,總投資金額將超過2,000億美元,并且?guī)影ú牧稀⒃O備等臺積電大聯(lián)盟生態(tài)圈龐大商機。