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OFC2025:上海交大研究人員將展示高速節(jié)能電光開關

摘要:可擴展的級聯(lián)2×2開關可擴展、適合芯片制造的工藝制成,可通過改進信號路由和切換來提升光網(wǎng)絡和數(shù)據(jù)中心的數(shù)據(jù)容量,有助于提升光網(wǎng)絡的數(shù)據(jù)容量和信號路由能力。

  ICC訊  據(jù)OFC官網(wǎng)報道,研究人員開發(fā)出一種高速電光開關,具有節(jié)能、低串擾和寬帶寬工作的特點。該開關采用可擴展、適合芯片制造的工藝制成,可通過改進信號路由和切換來提升光網(wǎng)絡和數(shù)據(jù)中心的數(shù)據(jù)容量。

  中國上海交通大學的JinweiSu將在2025年3月30日至4月3日于舊金山莫斯康中心舉行的全球光通信與網(wǎng)絡頂級盛會——OFC會議上展示這一研究成果。

  隨著人工智能和云計算的快速發(fā)展,對高容量數(shù)據(jù)交換的需求持續(xù)增長。光交換憑借其寬帶寬和低延遲,正成為應對這一挑戰(zhàn)的最有前景的解決方案之一。為了實現(xiàn)納秒級的光交換,研究人員通過微轉(zhuǎn)移印刷將預蝕刻的薄膜鈮酸鋰(TFLN)集成到氮化硅上,制造了一種2×2級聯(lián)電光開關。

  該2×2級聯(lián)電光開關由四個1×2馬赫-曾德爾干涉儀結(jié)構(gòu)組成,這些結(jié)構(gòu)由氮化硅波導形成,并通過微轉(zhuǎn)移印刷將TFLN片集成到干涉儀臂上,形成混合相移器。這一設計充分利用了TFLN的優(yōu)異調(diào)制能力和氮化硅的卓越無源特性,確保了光開關的最佳性能。

  測試結(jié)果顯示,該開關的3-dB帶寬超過100納米,在1550納米波長下的插入損耗約為1.3dB,串擾低于-45dB。此外,TFLN實現(xiàn)了高速切換,響應時間小于3納秒,同時功耗極低。

  Su表示:“基于我們的研究,下一步我們將通過優(yōu)化耦合器設計進一步降低插入損耗,并確保后端與商用超低損耗氮化硅平臺的兼容性。此外,我們計劃開發(fā)基于大面積片的批量微轉(zhuǎn)移印刷技術,以在單一工藝中集成多個元件。這些改進將使我們的開關設計朝著下一代光通信系統(tǒng)中的實際商業(yè)應用邁進。”

  在舊金山舉行的為期五天的技術會議期間,OFC將展示650多篇高影響力的同行評審科學報告,包括這一研究成果。

  關于OFC

  2025年光纖通信會議與展覽(OFC)是光通信和網(wǎng)絡專業(yè)人士的頂級會議和展覽。50年來,OFC吸引了來自全球各地的與會者,他們在此交流、學習、建立聯(lián)系并推動業(yè)務發(fā)展。OFC包括動態(tài)的商業(yè)議程、全球公司的展覽以及高影響力的同行評審研究,展示塑造光網(wǎng)絡和通信行業(yè)的趨勢。OFC由IEEE通信學會(IEEE/ComSoc)和IEEE光子學會共同贊助,并由Optica共同贊助和管理。

  原文:https://www.ofcconference.org/en-us/home/news-and-press/press-releases/2025/researchers-to-showcase-high-speed-energy-efficien/

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