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芯辰半導(dǎo)體光芯片外延片投產(chǎn)

摘要:芯辰半導(dǎo)體外延設(shè)備已于近日投產(chǎn),覆蓋砷化鎵(GaAs)及磷化銦(InP)光芯片四元化合物全材料體系。芯辰半導(dǎo)體光芯片外延片投產(chǎn)

  據(jù)“勢(shì)能資本”官微消息,芯辰半導(dǎo)體(蘇州)有限公司(下文簡(jiǎn)稱“芯辰半導(dǎo)體”)外延設(shè)備已于近日投產(chǎn),覆蓋砷化鎵(GaAs)及磷化銦(InP)光芯片四元化合物全材料體系。

  據(jù)介紹,芯辰半導(dǎo)體目前已實(shí)現(xiàn)波長(zhǎng)范圍760nm~1700nm外延片的量產(chǎn),外延均勻性為激射中心波長(zhǎng)外2nm之內(nèi)。其中典型波長(zhǎng)的激光芯片外延片,如808、850、905、940、1064、1550、1654nm,已在自主產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)VCSEL或DFB芯片驗(yàn)證。

source:芯辰半導(dǎo)體

  此外,相關(guān)外延片已獲客戶長(zhǎng)期合作訂單,其中砷化鎵外延片最大可支持6英寸晶圓、磷化銦外延片最大可支持4英寸晶圓,同時(shí)配套有相關(guān)晶圓質(zhì)量檢測(cè)設(shè)備。

  公開資料顯示,芯辰半導(dǎo)體專注于生產(chǎn)VCSEL和EEL激光器芯片。其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于光通信、激光雷達(dá)、生物醫(yī)學(xué)和先進(jìn)裝備等多個(gè)領(lǐng)域。公司采用IDM模式,致力于在太倉(cāng)打造砷化鎵和磷化銦系光芯片自主制造基地。

  今年9月初,芯辰半導(dǎo)體旗下砷化鎵、磷化銦高端光電子芯片IDM生產(chǎn)線完成試運(yùn)行。該產(chǎn)線包含了從芯片設(shè)計(jì)、材料外延、光刻、刻蝕、鍍膜等芯片工藝到封裝測(cè)試的完整工藝研發(fā)平臺(tái)和產(chǎn)品生產(chǎn)線。同月,公司光芯片封測(cè)平臺(tái)建設(shè)完成并對(duì)外開放。

  10月底,總投資達(dá)8億元的芯辰半導(dǎo)體項(xiàng)目一期在江蘇太倉(cāng)實(shí)現(xiàn)了投產(chǎn),預(yù)計(jì)達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)8000萬(wàn)顆光芯片、產(chǎn)值10億元。

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