車載應(yīng)用SiC市場(chǎng)加速擴(kuò)大 中國(guó)已具備完善產(chǎn)業(yè)鏈

  ICC訊 近日，在第12屆中國(guó)硬科技產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新趨勢(shì)峰會(huì)上，清純半導(dǎo)體有限公司市場(chǎng)經(jīng)理詹旭標(biāo)發(fā)表《車載電驅(qū)&供電電源用SiC技術(shù) 最新發(fā)展趨勢(shì)》報(bào)告，SiC（碳化硅）被公認(rèn)是提升新能源汽車?yán)m(xù)航里程的最佳方案，伴隨著新能源汽車銷售急劇增長(zhǎng)，SiC正在迎來非常巨大的應(yīng)用市場(chǎng)，并給予了國(guó)產(chǎn)化SiC崛起的機(jī)會(huì)窗口。

  2023年中國(guó)新能源汽車銷售達(dá)到950萬輛，市場(chǎng)占用有率達(dá)到31.6%，預(yù)計(jì)2024年新能源產(chǎn)銷量將達(dá)1200-1300萬輛，市占率超過45%并占全世界產(chǎn)銷售60%。在這個(gè)市場(chǎng)發(fā)展過程中，SiC上車速度加快，打造國(guó)產(chǎn)SiC車型合計(jì)142款，而750V 及 1200V SiC MOSFETs 是主驅(qū)應(yīng)用的主流器件，而器件性能、質(zhì)量、價(jià)格產(chǎn)能成為了主驅(qū)大規(guī)模應(yīng)用必要條件。

  SiC為何稱為提升新能源汽車?yán)m(xù)航里程的最佳方案？這得益于SiC MOSFET 低導(dǎo)通電阻、低開關(guān)損耗的特點(diǎn)，新能源汽車電機(jī)控制器有望實(shí)現(xiàn)70%的損耗下降，進(jìn)而增加約5%行駛里程。此外，充電問題是影響消費(fèi)者購(gòu)買新能源車的首要因素，而SiC材料可以使得單槍的充電功率向350kW以上發(fā)展，通過高壓快充解決消費(fèi)者的補(bǔ)能焦慮。

  根據(jù)相關(guān)市場(chǎng)預(yù)測(cè)，2025年全球SiC市場(chǎng)規(guī)模接近60億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)為 36.7%。目前該市場(chǎng)主要被國(guó)外企業(yè)壟斷，top廠商份額合計(jì)91.9%。中國(guó)SiC產(chǎn)能規(guī)劃（襯底）預(yù)計(jì)到2026年達(dá)到468萬片/年，可滿足3000萬輛新能源車的需求。詹旭標(biāo)表示，中國(guó)已經(jīng)形成完善的 SiC產(chǎn)業(yè)鏈，各細(xì)分行業(yè)均涌現(xiàn)出典型代表，快速縮小與跨國(guó)龍頭企業(yè)的差距。在技術(shù)距離上，國(guó)際SiCMOSFET技術(shù)發(fā)展維持3-5年的迭代周期，中國(guó)SiC MOSFET器件最新技術(shù)目前已經(jīng)對(duì)標(biāo)國(guó)際主流水平，并保持1年1代的節(jié)奏快速迭代。

  作為國(guó)產(chǎn)SiC代表廠商之一，清純半導(dǎo)體推出第二代1200V SiC MOSFET器件，核心參數(shù)全面對(duì)標(biāo)國(guó)際一流水平，包括超低導(dǎo)通電阻芯片、優(yōu)秀的串?dāng)_抑制能力、柵極串?dāng)_電壓、動(dòng)態(tài)損耗等方面媲美國(guó)外同類產(chǎn)品。目前已經(jīng)通過AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性試驗(yàn)認(rèn)證。清純半導(dǎo)體采用行業(yè)最全面可靠性測(cè)試方法、最嚴(yán)苛可靠性要求，實(shí)現(xiàn)新能源汽車及工業(yè)應(yīng)用400萬顆MOSFET零失效的成就。

  SiC半導(dǎo)體技術(shù)將圍繞材料、器件和工藝三個(gè)方面迭代發(fā)展，包括大尺寸低缺陷SiC襯底及外延制備，基于先進(jìn)SiC材料生長(zhǎng)和工藝技術(shù)的新型SiC器件以及面向下一代SiC器件的制造及封裝工藝。在產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)上，在完成SiC 半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新及市場(chǎng)教育后，國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)逐步從技術(shù)研發(fā)轉(zhuǎn)移到大規(guī)模量產(chǎn)，而依托巨大的應(yīng)用市場(chǎng)和高效產(chǎn)能提升，中國(guó)有望主導(dǎo)全球SiC半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。