昊衡科技-OLI測試硅光芯片內(nèi)部裂紋

  ICC訊 硅光是以光子和電子為信息載體的硅基電子大規(guī)模集成技術，能夠突破傳統(tǒng)電子芯片的極限性能，是5G通信、大數(shù)據(jù)、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等新型產(chǎn)業(yè)的基礎支撐。準確測量硅光芯片內(nèi)部鏈路情況，讓硅光芯片設計和生產(chǎn)都變得十分有意義。光纖微裂紋診斷儀(OLI)對硅光芯片耦合質(zhì)量和內(nèi)部裂紋損傷檢測非常有優(yōu)勢，可精準探測到光鏈路中每個事件節(jié)點，具有靈敏度高、定位精準、穩(wěn)定性高、簡單易用等特點，是硅光芯片檢測的不二選擇。使用OLI測量硅光芯片內(nèi)部情況，分別測試正常和內(nèi)部有裂紋樣品，圖1為耦合硅光芯片實物圖。

圖1 耦合硅光芯片實物圖

  OLI測試結果如圖2所示。圖2(a)為正常樣品，圖中第一個峰值為光纖到波導耦合處反射，第二個峰值為連接處到硅光芯片反射，第三個峰為硅光芯片到空氣反射;圖2(b)為內(nèi)部有裂紋樣品，相較于正常樣品在硅光芯片內(nèi)部多出一個峰值，為內(nèi)部裂紋表現(xiàn)出的反射。使用OLI能精準測試出硅光芯片內(nèi)部裂紋反射和位置信息。

(a)正常樣品

(b)內(nèi)部有裂紋樣品

圖2 OLI測試耦合硅光芯片結果

  使用OLI測試能快速評估出硅光芯片耦合質(zhì)量，并精準定位硅光芯片內(nèi)部裂紋位置及回損信息。OLI以亞毫米級別分辨率探測硅光芯片內(nèi)部，可廣泛用于光器件、光模塊損傷檢測以及產(chǎn)品批量出貨合格判定。