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2023光電子技術高峰論壇|分論壇一《通信光電子芯片與器件》圓滿舉辦

摘要:5月15日,由海思光電主辦,訊石信息承辦的2023光電子技術高峰論壇在武漢成功舉辦。其中,“通信光電子芯片與器件” 分論壇圍繞高性能光/電芯片的技術演進趨勢展開討論,探索高速光/電芯片的技術實現和產業(yè)趨勢,來自飛思靈、Lumentum、華中科技大學、傲科光電和中科院半導體研究所等機構的技術專家及學者進行了深度的分析與探討。

  ICC訊    5月15日,由海思光電有限公司主辦,訊石信息咨詢承辦的2023光電子技術高峰論壇在武漢成功舉辦,本次大會匯聚了400多位光電子領域專業(yè)人士,共同探討光電技術的演進趨勢,探索光聯接和光感知的新機遇。其中,“通信光電子芯片與器件” 分論壇圍繞高性能光/電芯片的技術演進趨勢展開討論,探索高速光/電芯片的技術實現和產業(yè)趨勢,來自飛思靈、Lumentum、華中科技大學、傲科光電和中科院半導體研究所等機構的技術專家及學者進行了深度的分析與探討。

  曹權 武漢飛思靈光電產品線技術總監(jiān)

  武漢飛思靈光電產品線技術總監(jiān)曹權發(fā)表《下一代高速相干光電芯片和器件的發(fā)展趨勢和展望》報告,高速相干光技術具有更長的傳輸距離、更高的單纖容量以及高靈敏度的特點,被廣泛地應用在長途傳輸應用場景。當前200G光模塊已經批量應用,400G QPSK是未來幾年的應用熱點。相干光器件面臨的主要挑戰(zhàn)包括超高帶寬、超寬波長范圍和低成本,混合材料平臺、智慧化設計與先進封裝架構是相干光器件發(fā)展的新趨勢。

  馬廣鵬 Lumentum傳送產品線應用工程總監(jiān)

  Lumentum傳送產品線應用工程總監(jiān)馬廣鵬發(fā)表 《窄線寬光源的趨勢和技術演進》報告,從驅動力、可調原理、實現方法和發(fā)展趨勢等四個方面展開探討。帶寬的持續(xù)增長是可調光源發(fā)展的主要驅動力,密集波分從剛開始4/8/16波發(fā)展到后面的32/40/48/96以及現有的120波,加上高速相干應用的引入和基于ROADM的業(yè)務調度需求,快速可調窄線寬可調光源必不可少。

  夏金松 華中科技大學教授

  華中科技大學夏金松教授發(fā)表《薄膜鈮酸鋰光子集成的進展》報告,薄膜鈮酸鋰光子集成芯片是實現高性能芯片自主可控的重要機遇。薄膜PPLN波導在AOWC應用的優(yōu)勢,包括小尺寸、超大光學帶寬和低噪聲系數等。而薄膜PPLN面臨的挑戰(zhàn),主要是如何實現低成本的大規(guī)模制備工藝,尤其是采用DUV光刻制備LNOI光器件。

  曹建光 傲科光電市場發(fā)展總監(jiān)

  傲科光電市場發(fā)展總監(jiān)曹建光發(fā)表《128GB相干光通信關鍵技術》報告,伴隨著DCI應用和高速相干模塊的發(fā)展,相干技術成為應用場景更為廣闊的技術選擇?;谙喔杉夹g的通信鏈路具有高靈敏度、色散不受限、更長傳輸距離的優(yōu)點。針對800G的應用,TFLN具有低插損和帶寬大的優(yōu)勢,但同時也面臨不能集成PD和不能收發(fā)集成等挑戰(zhàn)。

  李明團隊謝毓俊博士 中科院半導體研究所

  中科院半導體所研究員李明團隊 謝毓俊博士發(fā)表《高速光通信器件建模及光電系統(tǒng)仿真應用》報告,重點介紹了多種光子器件的多種模型建模仿真等,包括MZM、Ge/Si PD以及光柵耦合器等。

  甘甫烷 中科院上海微系統(tǒng)所研究員

  中科院上海微系統(tǒng)所研究員 甘甫烷發(fā)表《硅基光調制器發(fā)展研究》報告,如今蓬勃發(fā)展的數據需求使高度集成的光電芯片進入前所未有的發(fā)展舞臺。硅基光子技術是可以大規(guī)模實現光子集成的一個優(yōu)良技術平臺,能提供高帶寬、低功耗、小尺寸的硅基調制技術,可以適用于單波長200Gbps技術、共封裝光學(CPO)、以及近期產業(yè)熱點可插拔線性驅動應用(LPO)。

  祁楠團隊李樂良博士 中國科學院半導體研究所

  中科院半導體所研究員祁楠團隊 李樂良博士發(fā)表《CMOS工藝兼容的硅基光電集成互連芯片設計》報告,光互連芯片應用前景明朗,網絡芯片光接口和計算芯片光接口新型應用為光互連芯片帶來更大的應用空間。基于CMOS工藝的光電集成互連芯片可實現高帶寬密度、高能耗效率。芯片光接口開展光電融合集成芯片研究,可以形成從芯片-器件-系統(tǒng)的完整光電融合理論體系,突破光路與電路的協(xié)同設計技術。

  畢曉君 華中科技大學教授

  華中科技大學畢曉君教授發(fā)表《高性能硅基高速電芯片》報告,當前業(yè)界聚焦快響應TIA/CDR和高波特率TIA/Driver,包括高動態(tài)范圍TIA和突發(fā)模式PAM4 CDR。當前高速電路的帶寬已經接近硅晶體管支撐的極限, 為立足現有工藝水平,提高電路速率,驅動放大器提出分布式基極反饋線性化結構,在維持低諧波失真的同時大幅提高增益帶寬積,可將驅動放大器的速率從業(yè)界最高的64 GBaud大幅提高至130 GBaud。

  總 結

  眾所周知,決定光模塊性能關鍵在于底層的光/電芯片。本次“通信光電子芯片與器件”分論壇重點討論了光電芯片的系統(tǒng)需求和技術研究熱點,展望了高性能光電芯片技術的未來演進。

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