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Marvell推出全球首款3nm芯片

摘要:4月20日消息,雖然臺積電在去年年底就宣布3nm芯片已經(jīng)量產(chǎn),但是一季度財報顯示,臺積電3nm仍未貢獻營收。不過,近日美國芯片公司Marvell表示,公司基于臺積電3nm工藝打造的數(shù)據(jù)中心芯片正式發(fā)布。

  ICC訊  4月20日消息,雖然臺積電在去年年底就宣布3nm芯片已經(jīng)量產(chǎn),但是一季度財報顯示,臺積電3nm仍未貢獻營收。不過,近日美國芯片公司Marvell表示,公司基于臺積電3nm工藝打造的數(shù)據(jù)中心芯片正式發(fā)布。

  據(jù)Marvell介紹,其基于臺積電3nm的芯片,可用于新產(chǎn)品設計,包括基礎IP構建塊,112G XSR SerDes(串行器/解串行器)、Long Reach SerDes、PCIe Gen 6 PHY / CXL 3.0 SerDes 和 240 Tbps 并行芯片芯片互連,用于管理數(shù)據(jù)基礎設施中的數(shù)據(jù)流。這一3nm平臺的生產(chǎn)或開發(fā)遵循了Marvell的眾多5nm解決方案,跨越了其無與倫比的電光、開關、PHY、計算、5G基帶和存儲產(chǎn)品組合,以及廣泛的定制ASIC程序。

  具體來說,該IP產(chǎn)品組合與2.5D封裝技術兼容,如臺積電領先的2.5D CoWoS(Chip-on-Wafer-on-Substrate)解決方案,并將使Marvell能夠為其行業(yè)領先的基礎設施產(chǎn)品開發(fā)一些最先進的multi-die、多芯片封裝系統(tǒng)(SiP),并為一些最具挑戰(zhàn)性的基礎設施用例(如機器學習)優(yōu)化定制ASIC解決方案。

  按照Marvell所說,SerDes 和并行互連在芯片中充當高速通道,用于在chiplet內(nèi)部的芯片或硅組件之間交換數(shù)據(jù)。與 2.5D 和 3D 封裝一起,這些技術將消除系統(tǒng)級瓶頸,以推進最復雜的半導體設計。

  SerDes 還有助于減少引腳、走線和電路板空間,從而降低成本。超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的機架可能包含數(shù)以萬計的 SerDes 鏈路。

  根據(jù)他們提供的數(shù)據(jù),新的并行芯片芯片互連可實現(xiàn)高達 240 Tbps 的聚合數(shù)據(jù)傳輸,比多芯片封裝應用的可用替代方案快 45%。

  換句話說,互連傳輸速率相當于每秒下載 10,000 部高清電影,盡管距離只有幾毫米或更短。

  Marvell 將其 SerDes 和互連技術整合到其旗艦硅解決方案中,包括Teralynx開關,PAM4和相干DSP,Alaska 以太網(wǎng)物理層 (PHY)設備,OCTEON處理器,Bravera存儲控制器,Brightlane汽車以太網(wǎng)芯片組和定制 ASIC。

  而轉向 3nm 工藝使工程師能夠降低芯片和計算系統(tǒng)的成本和功耗,同時保持信號完整性和性能。

內(nèi)容來自:芯智訊
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關鍵字: Marvell 芯片
文章標題:Marvell推出全球首款3nm芯片
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