臺(tái)積電推遲擴(kuò)產(chǎn)7nm工藝 3nm推進(jìn)順利

  ICC訊  半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)疲軟，使得業(yè)績(jī)幾乎是一枝獨(dú)秀的晶圓代工龍頭臺(tái)積電終于低頭。近日，臺(tái)積電宣布將減少今年資本開(kāi)支，從400億美元往上，下調(diào)至360億美元。

  據(jù)悉，下調(diào)的超過(guò)40億美元資本開(kāi)支，主要是延遲量產(chǎn)7nm工藝。臺(tái)積電7nm工藝在業(yè)界處于絕對(duì)龍頭，同時(shí)也是營(yíng)收增長(zhǎng)的主要?jiǎng)恿Α?jù)悉，今年第三季度，臺(tái)積電7nm及以上工藝占營(yíng)收比重54%，其中7nm工藝占26%，5nm工藝占28%。

  不過(guò)，最新一代3nm工藝，臺(tái)積電依然維持原先規(guī)劃。蘋(píng)果、英特爾、高通等芯片巨頭將在明年導(dǎo)入3nm，這一晶圓代工市場(chǎng)只有臺(tái)積電和三星兩個(gè)競(jìng)爭(zhēng)者。

  臺(tái)積電3nm N3工藝將在今年底試產(chǎn)，明年量產(chǎn);根據(jù)臺(tái)積電預(yù)期，N3工藝量產(chǎn)第一年的營(yíng)收貢獻(xiàn)，高于5nm工藝第一年的營(yíng)收貢獻(xiàn)，預(yù)期3nm工藝可占到臺(tái)積電營(yíng)收的4%~6%。

  3nm加強(qiáng)版N3E工藝，預(yù)計(jì)將在明年下半年量產(chǎn)。