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臺積電3nm制程工藝取得突破！

訊石光通訊網(wǎng)   發(fā)布時間:2022/4/13 9:40:45  編者:iccsz
摘要：臺積電3納米芯片研發(fā)近期獲得突破，該公司決定8月以第2版3納米制程工藝投產(chǎn)。

  ICC訊  據(jù)外媒報道，臺積電3納米芯片研發(fā)近期獲得突破，該公司決定8月以第2版3納米制程工藝投產(chǎn)。

  報道稱，一度因開發(fā)時程延誤的臺積電3nm制程近期獲得重大突破，延誤曾導(dǎo)致蘋果公司新一代處理器仍采用5nm加強版N4P。臺積電決定今年率先量產(chǎn)第二版3nm 制程N3B，將于今年8月于新竹12廠研發(fā)中心第八期工廠及南科18廠 P5廠同步投片，正式以鰭式場效晶體管(FinFET)架構(gòu)，對決三星的環(huán)繞閘極(GAA)制程。

  臺積電的3nm 制造工藝仍將在今年晚些時候投入生產(chǎn)。進入生產(chǎn)的變體被稱為“N3B”，Digitims 預(yù)計初始產(chǎn)量將在每月4萬至5萬片之間。“N3B”之后，很快就會有一個被稱為“N3E”的高級變體，預(yù)計將在2023年投入生產(chǎn)。

內(nèi)容來自：中國半導(dǎo)體論壇
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關(guān)鍵字: 臺積電 芯片
文章標題:臺積電3nm制程工藝取得突破！
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