光梓科技、源杰半導(dǎo)體聯(lián)合發(fā)布25G工業(yè)級(jí)5G前傳解決方案，助力5G產(chǎn)業(yè)的高速成長(zhǎng)

  ICC訊 行業(yè)領(lǐng)先的高速模擬芯片廠商-光梓科技和國(guó)產(chǎn)激光器廠商-源杰半導(dǎo)體向業(yè)界推出國(guó)產(chǎn)工業(yè)級(jí)5G前傳高性價(jià)比解決方案：展示工業(yè)級(jí)CMOS 25G-DML Driver激光器驅(qū)動(dòng)芯片和工業(yè)級(jí)25G 激光器芯片。該產(chǎn)品主要應(yīng)用蓬勃發(fā)展的5G數(shù)據(jù)前傳市場(chǎng)，滿足于核心物料自主可控及成本結(jié)構(gòu)持續(xù)優(yōu)化的市場(chǎng)需求。

  25G-DML Driver因需要幾十mA的大驅(qū)動(dòng)電流和調(diào)制電流，所以行業(yè)內(nèi)基本上都采用如鍺化硅(SiGe)工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)，因而受制于SiGe晶圓代工產(chǎn)能及供應(yīng)鏈的局限性和風(fēng)險(xiǎn)性。光梓科技多年來(lái)致力于利用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS制程工藝設(shè)計(jì)和產(chǎn)業(yè)化高速高帶寬通訊芯片及相關(guān)產(chǎn)品，先后完成了4x10G/1x25G VCSEL Driver/TIA等芯片的量產(chǎn)工作。通過(guò)創(chuàng)新的設(shè)計(jì)工作和完整的知識(shí)產(chǎn)權(quán)，光梓科技克服了CMOS工藝不能驅(qū)動(dòng)大電流的瓶頸，推出了基于CMOS工藝的1x25G DML Driver + Dual CDR的產(chǎn)業(yè)化方案，各方面綜合性能達(dá)到了行業(yè)水平，滿足模塊和終端客戶對(duì)于5G前傳方案的性能、成本及供應(yīng)鏈的需求，現(xiàn)已處于預(yù)量產(chǎn)狀態(tài)。

  光梓工業(yè)級(jí)1x25G-DML 激光驅(qū)動(dòng)芯片的主要特色在以下幾點(diǎn)：

  1. 工藝成熟：采用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝制程 - 從晶圓制造到后端封測(cè)，整個(gè)供應(yīng)鏈自主可控;

  2. 成本結(jié)構(gòu)：CMOS在大批量的需求下，相比同類SiGe芯片具有極大優(yōu)勢(shì);

  3. 方便快捷：光電性能和物理尺寸等和國(guó)外主流供應(yīng)商兼容，便于光模塊客戶產(chǎn)業(yè)化導(dǎo)入和物料儲(chǔ)備;

  4. 即插即用：3.3V單電源供電，PCB板級(jí)不需要額外的BUCK和BOOST;

  5. 兼容性好：支持國(guó)外和國(guó)內(nèi)主流企業(yè)用于5G前傳的DFB工業(yè)級(jí)激光器。

  源杰半導(dǎo)體于2019年實(shí)現(xiàn)25G光芯片國(guó)產(chǎn)化，率先以國(guó)產(chǎn)化支持國(guó)內(nèi)5G新基建政策;工業(yè)級(jí)25G激光器芯片普遍存在材料氧化失效與小尺寸熱堆積失效等技術(shù)難題，源杰在過(guò)去幾年進(jìn)行了大量的開(kāi)發(fā)資源投入并完成攻克，相關(guān)解決方案在國(guó)內(nèi)具備了創(chuàng)新性與唯一性的優(yōu)勢(shì)。源杰的該款芯片在性能與可靠性方面能完全替代國(guó)外同類產(chǎn)品，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白。

  源杰25G 芯片的主要特色是：

  1. 可靠性強(qiáng)：該款芯片能夠勝任長(zhǎng)期嚴(yán)苛的操作環(huán)境：-40°C~85°C;

  2. 小發(fā)散角：可匹配普通大球TO管帽，降低成本;

  3. 高功率：驅(qū)動(dòng)電流小，功耗低;

  4. 高速調(diào)制：克服低溫與高溫光芯片調(diào)制速率問(wèn)題，真正滿足無(wú)致冷的工業(yè)級(jí)高速產(chǎn)品;

  5. 特殊工藝：采用獨(dú)特的掩埋型光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，頻率響應(yīng)快，射頻帶寬高，在整個(gè)工業(yè)溫度范圍內(nèi)確保眼圖余量大于30%。

  該方案核心性能在某國(guó)際頂尖模塊廠商的驗(yàn)證效果如下：

  至此，光梓科技已經(jīng)開(kāi)發(fā)完成5G網(wǎng)絡(luò)前傳/中傳覆蓋距離所需的0-30Km完整解決方案，并具備量產(chǎn)出貨能力。源杰于2019年開(kāi)始在25G國(guó)產(chǎn)激光器芯片市場(chǎng)持續(xù)發(fā)力，憑借其IDM開(kāi)發(fā)模式，首推了25G國(guó)產(chǎn)光芯片，今年產(chǎn)品技術(shù)延伸實(shí)現(xiàn)50G PAM4等更高速產(chǎn)品，得到了海內(nèi)外客戶的充分認(rèn)可。

  關(guān)于光梓科技：光梓科技是我國(guó)高速光電集成芯片領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)之一，是由國(guó)家領(lǐng)軍人才創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)在頂級(jí)風(fēng)投資本的支持下創(chuàng)建的、研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用于5G傳輸、數(shù)據(jù)中心、3D TOF圖像、生物傳感等市場(chǎng)的集成電路與系統(tǒng)的高科技企業(yè)。公司利用具有完整自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的CMOS高速低功耗模擬光電子芯片設(shè)計(jì)和制造技術(shù)，聯(lián)合世界領(lǐng)先水平的企業(yè)和學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)，為快速增長(zhǎng)的5G網(wǎng)絡(luò)、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)中心、移動(dòng)信息、生物傳感等新型數(shù)字經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)提供在性能、功耗、成本結(jié)構(gòu)上都有極強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力的高品質(zhì)核心產(chǎn)品。2020年光梓科技被權(quán)威市場(chǎng)分析機(jī)構(gòu)和投資機(jī)構(gòu)分別評(píng)為“中國(guó)5G行業(yè)30強(qiáng)(非上市公司)”、“中國(guó)信息光電創(chuàng)業(yè)企業(yè)42強(qiáng)”、“畢馬威中國(guó)最具投資價(jià)值半導(dǎo)體企業(yè)50強(qiáng)”。

  關(guān)于源杰半導(dǎo)體：源杰半導(dǎo)體成立于2013年，公司具備自主設(shè)計(jì)、生產(chǎn)制造半導(dǎo)體激光器芯片能力，已授權(quán)激光器專利27項(xiàng);擁有數(shù)條從MOCVD外延生長(zhǎng)、芯片生產(chǎn)和自動(dòng)測(cè)試的生產(chǎn)線;產(chǎn)品面覆蓋2.5Gbps、10Gbps、25Gbps與50Gbps激光器，所有產(chǎn)品均由源杰產(chǎn)線自主設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)、制造與測(cè)試驗(yàn)證，無(wú)任一生產(chǎn)環(huán)節(jié)委外代工制作。源杰從成立之初，已經(jīng)意識(shí)光芯片全覆蓋上游生產(chǎn)鏈與IDM制造模式的必要性，針對(duì)國(guó)內(nèi)最薄弱的外延與光柵這兩稀缺的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與制程開(kāi)發(fā)能力去突破，也形成現(xiàn)在行業(yè)里的優(yōu)勢(shì)。源杰產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于電信運(yùn)營(yíng)商、數(shù)據(jù)中心及光纖到戶等領(lǐng)域;持續(xù)致力于向國(guó)內(nèi)外客戶提供高性價(jià)比、高可靠性產(chǎn)品，始終追求與客戶合作共贏。

  關(guān)于該方案更多內(nèi)容和相關(guān)信息，歡迎來(lái)到2021年9月16-18日深圳光博會(huì) - 6號(hào)展館6E121及6A63進(jìn)行更多了解。