作為僅有的幾家可以實(shí)現(xiàn)硅光商業(yè)化的公司,Intel的100G CWDM4模塊已經(jīng)發(fā)貨幾百萬只,取得了初步的成功。其200G、400G硅光模塊也預(yù)計(jì)將在2020年下半年量產(chǎn)。
之前我們分析了Luxtera公司的硅光模塊的技術(shù)和內(nèi)部細(xì)節(jié),這次我們分析一下Intel的CWDM4硅光模塊的內(nèi)部細(xì)節(jié)。
Intel的CWDM4模塊采用1271,1291,1311,1331nm波長,最長傳輸距離可達(dá)10km,采用QSFP28封裝,有0-70℃和15-55℃兩種溫度規(guī)格。
不同于Luxtera的收發(fā)在同一個(gè)chip上的集成形態(tài),Intel的CWDM4的TX和RX芯片是分開的。TX是由4個(gè)III-V/Si混合集成激光器、4個(gè)MZ光調(diào)制器及調(diào)制器驅(qū)動(dòng)芯片、基于EDG技術(shù)的MUX、光纖耦合部分組成。RX由4個(gè)Ge/Si探測器、TIA、PLC基DeMUX、光纖耦合部分組成。TX和RX的時(shí)鐘和數(shù)據(jù)恢復(fù)采用MACOM的4通道25G CDR芯片。TX和RX光纖陣列多余的尾纖,通過盤纖纖進(jìn)行整理固定。
Intel 100G CWDM4硅光模塊的內(nèi)部細(xì)節(jié)
[From文獻(xiàn)1]
1.TX光芯片
Intel的CWDM4模塊的TX端,激光器、調(diào)制器、MUX集成在同一個(gè)芯片上。激光器采用III-V材料和Si波導(dǎo)的直接鍵合技術(shù),分別制作1271,1291,1311,1331nm 4個(gè)波長的激光器,III-V材料負(fù)責(zé)增益,Si波導(dǎo)負(fù)責(zé)選模,兩者之間利用倏逝波原理進(jìn)行耦合。硅調(diào)制器是4個(gè)MZ的調(diào)制器,其高速調(diào)制采用多段式電極配合flip-chip鍵合的調(diào)制器驅(qū)動(dòng),可以減少高速信號的衰減。MZ調(diào)制器的兩個(gè)臂上分別有一個(gè)相位調(diào)制器用于偏置調(diào)節(jié);另外,調(diào)制器的輸出端口有兩路監(jiān)控光波導(dǎo),一路應(yīng)該是用于模塊級TX的光監(jiān)控,另一路應(yīng)該是用于MZ調(diào)制器的調(diào)試監(jiān)控。4路MZ調(diào)制器調(diào)制后的光通過EDG復(fù)用成一路,通過SSC、lens耦合到光纖。
[From文獻(xiàn)1]
2.RX光芯片
Intel的CWDM4模塊的RX端,由PLC的DeMUX、4個(gè)Ge探測器和TIA組成。DeMUX的末端是一個(gè)45°反射端面,將光偏轉(zhuǎn)90°并耦合到Ge探測器。
[From文獻(xiàn)1]
參考文獻(xiàn):
[1] Intel Silicon Photonic 100G CWDM4 QFSP28 Transceiver, 2020 by System Plus Consulting | SP20544.
本文來源:微信公眾號“飛哥隨筆”,作者