億源通丨基于MEMS技術的1×N光開關

  ICC訊 光開關在光纖通信系統(tǒng)中有著廣泛的應用，其實現(xiàn)技術多種多樣，包括：機械光開關、熱光開關、聲光開關、電光開關、磁光開關、液晶光開關和MEMS光開關，等等。其中MEMS光開關具有尺寸小、功耗低和擴展性好的特點，因而得到廣泛的應用。

  光開關是一種多端口光器件，端口配置情況有：2×2，1×N，N×N，其中N×N端口光開關又稱OXC（光交叉連接開關、矩陣光開關）。根據(jù)光開關的端口配置不同，需要采用不同的MEMS芯片來實現(xiàn)，本文討論2×2和1×N端口光開關。

  2×2 端口光開關

  2×2端口光開關被用于光纖環(huán)網(wǎng)的保護。基于ROADM技術的智能光網(wǎng)絡如圖1所示，它是一種三層架構，包括：骨干網(wǎng)、城域網(wǎng)和接入網(wǎng)。

圖1. 基于ROADM技術的智能光網(wǎng)絡架構

  城域網(wǎng)是一個以ROADM節(jié)點連接的雙光纖環(huán)網(wǎng)，圖2是一個ROADM節(jié)點結構，它包括以兩個2×2端口光開關連接的ROADM模塊和光放大器（OA）。光開關為光纖環(huán)網(wǎng)提供保護，當光纖鏈路或者ROADM節(jié)點發(fā)生故障時，可通過光開關的直通→交叉狀態(tài)切換，將故障節(jié)點旁路。

  隨著互聯(lián)網(wǎng)應用的快速發(fā)展，對帶寬的需求也迅速增長，進而推動了基于ROADM技術的額城域網(wǎng)的建設。因此，2×2端口光開關的市場前景較好。

圖2. 雙光纖環(huán)網(wǎng)中的ROADM節(jié)點結構

  基于MEMS技術的2×2端口光開關的原理如圖3所示，四根光波導被設置于四個方向，一個豎直的MEMS微鏡被設置成45°角方向。當微鏡未介入光路時，來自波導1和2的光束分別耦合到波導3和4中，端口連接狀態(tài)為1→3和2→4，此為直通狀態(tài)；當微鏡插入光路時，來自波導1和2的光束經(jīng)微鏡反射，分別耦合至端口4和3，端口連接狀態(tài)為1→4和2→3，此為交叉狀態(tài)。

圖3. 2×2端口MEMS光開關的工作原理，左圖：直通狀態(tài)，右圖：交叉狀態(tài)

  MEMS微鏡的行程有限，通常只有數(shù)十微米。光無源器件中常用到光纖準直器，其輸出光束的直徑通常為數(shù)百微米，該MEMS微鏡不能對其進行交換。該MEMS微鏡僅能對光纖輸出的直徑約10微米的光束進行控制，而光纖必須精確對準才能保證光信號的耦合效率。兩根光纖橫向錯位引起的耦合損耗如圖4所示，其容差<1μm。

圖4. 兩根光纖橫向錯位因其的耦合損耗

  此外，被MEMS微鏡切換的光束是未經(jīng)準直的，發(fā)散角比較大。光纖之間的縱向間距會引起顯著的耦合損耗，如圖5所示，光纖間距必須<20μm。

圖5. 耦合損耗與兩根光纖縱向間距的關系

  基于以上考慮，在制備MEMS微鏡時，同時制備了四個光纖定位槽，如圖6所示。為了保證光纖的精確排列定位，在每個槽中加工了一個彈簧結構，用以卡住光纖，彈簧結構見圖6紅色圈中。

圖6. MEMS芯片及光纖定位槽的掃描電鏡照片

  瑞士Neuchael大學的科學家設計和制備了此2×2 端口MEMS光開關，其響應速度<1ms，然而損耗還是有點大，特別是在交叉狀態(tài)。光開關在交叉狀態(tài)下，光束經(jīng)MEMS微鏡反射實現(xiàn)耦合，而經(jīng)離子束刻蝕制備的豎直微鏡，其表面粗糙度遠不如拋光表面，且未經(jīng)鍍膜處理，因而產(chǎn)生較大損耗。

  1×N端口光開關

  我們知道，互聯(lián)網(wǎng)應用的快速發(fā)展推動了基于ROADM技術的智能光網(wǎng)絡的建設，新一代的CDC（無色、無方向性和無競爭）ROADM，其主流技術方案是1×N端口WSS （波長選擇開關）+ N×M端口WSS，或者1×N端口WSS+N×M端口MCS（多播開關），如圖7所示?；诔杀究剂浚笳呒?×N端口WSS+N×M端口MCS更受電信運營商和設備制造商歡迎。因此隨著基于ROADM的智能光網(wǎng)絡的發(fā)展，市場對MCS光開關的需求增長迅猛，特別是當ROADM技術由骨干網(wǎng)下沉至城域網(wǎng)時。

圖7. 基于1×N端口WSS + N×M端口WSS或者1×N端口WSS+N×M端口MCS的CDC ROADM節(jié)點

  8×16端口MCS光開關的結構如圖8所示，它包括8個1×16端口的PLC光分路器和16個8×1端口的光開關，光分路器通常以PLC技術制備，而1×N端口光開關通常采用MEMS技術。最常用的是1×8和1×16端口光開關。

圖8. 8×16端口MCS光開關結構（PS：光分路器，SW：光開關）

  基于MEMS技術的1×N端口光開關，其結構如圖9所示，它包括一個MEMS微鏡、一個準直透鏡和一個多纖插針。MEMS微鏡通常貼裝在一個TO管座上，然后通過TO管帽將準直透鏡與TO管座組裝成一個組件，最后在有源調試狀態(tài)下，將多纖插針與前述組件對準并固定在一起。

圖9. 基于MEMS技術的1×N端口光開關結構

  圖9中的器件結構非常簡單，然而，要制作一個大端口數(shù)、低損耗的1×N端口光開關并不容易。最大損耗發(fā)生在離軸距離最遠（Δmax）的端口處，該端口受離軸像差的影響最大。隨著光學系統(tǒng)的相對孔徑Δmax/f（f為準直透鏡的焦距）增加，光學像差劣化。增加焦距f有助于減小像差，但長焦距會增加入射在MEMS微鏡上的準直光斑直徑，如是（1）

  (1)

  其中ω0為光纖中的光斑半徑，ωc為微鏡上的光斑半徑。

  準直光斑的尺寸受限于MEMS微鏡直徑Ф，為了保證覆蓋到準直光斑能量的99%，要求Ф>3ωc。然而，由于MEMS技術本身的限制，微鏡的直徑Ф與最大偏轉角度θmax存在相互制約關系，比如一個典型的MEMS微鏡參數(shù)為Ф=1mm、θmax=±4°。鏡面直徑Ф越大則最大偏角θmax=Δmax/f越小，從而反過來限制了光開關的端口數(shù)。因此我們知道，增加準直透鏡的焦距f并不能提高光開關的端口數(shù)N。

  考慮到上述困境，有三個途徑可提高光開關的端口數(shù)，其一是改變多纖插針中的光纖排列方式，如圖10所示，左圖只需要單軸MEMS微鏡，但端口數(shù)少一些；右圖可以得到更多的端口數(shù)，但需要雙軸MEMS微鏡。一個雙軸MEMS微鏡的價格比單軸微鏡貴得多。

圖10. 多纖插針中的光纖排列方式

  增加光開關端口數(shù)的第二個途徑是減小光纖直徑。我們知道，典型單模光纖的包層直徑是125μm，通常以化學腐蝕工藝來減小光纖直徑。腐蝕之后的光纖直徑通常為60~80μm，但仍然不夠小，因此光開關的端口數(shù)受限為N≤16。另外，腐蝕工藝的控制并不容易，這會增加多纖插針的成本。

  增加光開關端口數(shù)的第三個途徑是選用一個像差較小的準直透鏡，非球面或者自聚焦透鏡的性能，都會比C-Lens好一些。

  關于億源通

  億源通科技（HYC Co., Ltd）立足于現(xiàn)有業(yè)務的需求以及面向未來網(wǎng)絡發(fā)展需求，推出了一系列自主研發(fā)的MEMS技術產(chǎn)品， 包括1×48通道的光開關， 與 WDM、PLC 或 PD 集成的 MEMS光開關模塊，以及MCS模塊等。億源通科技，是一家專注于光通信無源基礎器件研發(fā)、制造、銷售與服務于一體的無源光通信器件OEM/ODM廠商。