光模塊標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)展及發(fā)展趨勢(shì)：客戶側(cè)

  本文轉(zhuǎn)載自微信公眾號(hào)“光通信充電寶”，作者馮振華博士，訊石經(jīng)允許略作刪改。

  今天咱們來聊聊光模塊相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)展及光模塊相關(guān)技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)，內(nèi)容上將分為兩個(gè)部分，一個(gè)是客戶側(cè)光模塊，主要面向中短距離光互連的，另一個(gè)是線路側(cè)光模塊，面向城域和長(zhǎng)距光傳輸?shù)摹?

  下面首先介紹以太網(wǎng)的發(fā)展及速率接口演進(jìn)趨勢(shì)，然后分別介紹IEEE 802.3、OIF及其它聯(lián)盟推出的最新標(biāo)準(zhǔn)，最后展望一下未來光模塊技術(shù)的演進(jìn)，如板上光學(xué)(OBO)或共封裝光學(xué)(CPO)。簡(jiǎn)單概括起來，行文思路就是客戶側(cè)光模塊從概念入門到game over。

  一、以太網(wǎng)技術(shù)發(fā)展和演進(jìn)

  馬云. 蓋茨說過“互聯(lián)網(wǎng)將改變?nèi)藗兩畹姆椒矫婷妗保瑢?duì)不起我實(shí)在是分不清這話到底比爾蓋茨有沒有說過，但我想說的是以太網(wǎng)將改變互聯(lián)網(wǎng)生活的方方面面。過去的二十年里，以太網(wǎng)技術(shù)已經(jīng)被廣泛用在了企業(yè)園區(qū)，家庭寬帶，工業(yè)控制，安防監(jiān)控等領(lǐng)域，未來更大帶寬，更低時(shí)延的以太網(wǎng)相關(guān)技術(shù)還將進(jìn)一步滲透到智能制造，智慧城市，自動(dòng)駕駛，5G承載，云計(jì)算、數(shù)據(jù)中心等場(chǎng)景，可能無時(shí)無刻不在影響我們的生活。

圖1. 以太網(wǎng)相關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景

  面對(duì)新的應(yīng)用，以太網(wǎng)的速率也在不斷增長(zhǎng)，如圖2所示，從最初的10M,100M到最近標(biāo)準(zhǔn)化的400G,接口速率已經(jīng)翻了4萬倍。進(jìn)一步應(yīng)對(duì)數(shù)據(jù)中心每?jī)赡杲粨Q機(jī)容量翻一倍的需求，于2018年，以太網(wǎng)聯(lián)盟就已經(jīng)明確了在未來的幾年內(nèi)，將推出下一代以太網(wǎng)速率，800G和1.6T。

圖2. 以太網(wǎng)速率標(biāo)準(zhǔn)演進(jìn)趨勢(shì)

  為了支撐相應(yīng)的接口速率，就必須得規(guī)范對(duì)應(yīng)的光模塊技術(shù)。下面首先介紹客戶側(cè)的光模塊標(biāo)準(zhǔn)。

  二、客戶側(cè)光模塊標(biāo)準(zhǔn)

  其實(shí)我之前在公眾號(hào)里也多次提到過部分的短距光模塊相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)。今天再次從多個(gè)方面來匯總一下。

表1. 最新的以太網(wǎng)接口光模塊標(biāo)準(zhǔn)

  如表1所示，當(dāng)前以太網(wǎng)接口規(guī)范對(duì)應(yīng)的光模塊速率、傳輸距離及電接口，目前尚未完全完成的標(biāo)準(zhǔn)主要集中在25G/50G EPON，100G FR/LR, 400G FR4/LR4-6，以及100G/400G 80km級(jí)的ZR。在此再次回顧一下之前說過的，KR,CR,SR,DR,LR,ER,ZR的意思。K表示背板互連，C表示銅線互連，S表示短距100m以上，多模光纖，D表示500m，并行單模光纖，F(xiàn)表示2km，通常是CWDM單模，L一般表示長(zhǎng)距10km，單模光纖，E表示延長(zhǎng)距離到40km, ZR表示80km級(jí)互連，通常要用相干探測(cè)了。字母R后面的數(shù)字一般表示并行光纖或者WDM通道的數(shù)量。不同PMD規(guī)范不同的距離，其實(shí)在光模塊技術(shù)上大致對(duì)應(yīng)了采用的激光器/調(diào)制器，如表2所示，多模的一般用VCSEL，長(zhǎng)距一般要用EML，ZR可能需要用到相干的IQ調(diào)制，顯然隨著傳輸距離的增加，調(diào)制技術(shù)越來越復(fù)雜，也就意味著成本越來越高了。

表2. 不同PMD規(guī)范對(duì)應(yīng)的傳輸距離、媒介和復(fù)用技術(shù)

  在這些標(biāo)準(zhǔn)中，50G的PAM4調(diào)制是關(guān)鍵，得到了IEEE802.3bs, cd,cn等工作組的關(guān)注，成為50G到400G接口標(biāo)準(zhǔn)的基礎(chǔ)。其中bs,cd已經(jīng)于2017年和2018年底完成，cn系列標(biāo)準(zhǔn)將于2020年完成。

  對(duì)于最近業(yè)界關(guān)注較多的是用于DCI和CATV應(yīng)用的80km光接口相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)，IEEE早在2018年11月就成立了802.3ct工作組，開始標(biāo)準(zhǔn)制定。其中用于DCI的是400G/80km, CATV是100G/80km。這兩種ZR應(yīng)用中，目前業(yè)界認(rèn)為只有通過數(shù)字相干技術(shù)才能實(shí)現(xiàn)80km級(jí)的高速傳輸，并且還需要利用WDM來提高單纖的容量。去年11月，IEEE ZR標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)一步細(xì)分為100G ZR (100G,80km)和400G ZR (400G, 80km)分別由802.3ct, cw工作組負(fù)責(zé)。并且IEEE 400G ZR的信道間隔從原來的100GHz更新為75GHz,這將需要更長(zhǎng)的時(shí)間來完成標(biāo)準(zhǔn)化相關(guān)的討論。類似的，在OIF組織下，400G/最長(zhǎng)120km的標(biāo)準(zhǔn)400ZR interop，也決定開始75GHz間隔技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)1.1版本，之前的1.0版本是100GHz間隔。

  另外，在FR/LR這種2km/10km級(jí)別的接口標(biāo)準(zhǔn)方面，IEEE 802.3cu去年3月啟動(dòng)了100GBASE FR/LR及400GBASE FR4/LR4。該系列標(biāo)準(zhǔn)的重點(diǎn)是引入100G PAM4調(diào)制和CWDM復(fù)用的波長(zhǎng)網(wǎng)格。相比于50G PAM4,更高的單波速率在減小收發(fā)器件數(shù)量和降低成本方面有優(yōu)勢(shì)。 由于CWDM波長(zhǎng)間隔20nm的寬度，如圖3所示，允許使用不制冷的激光器，進(jìn)一步降低成本。顯然，引入單通道100G的技術(shù)對(duì)于實(shí)現(xiàn)高速光模塊即有利于降低成本，又能有效增強(qiáng)可制造性(通道數(shù)少，光模塊更容易做)。另外，802.3bs和cd工作組也采用LAN WDM波長(zhǎng)分配方案，如圖4所示。很明顯，LAN WDM波長(zhǎng)間隔僅為800GHz(4.5nm)，需要使用TEC控制波長(zhǎng)漂移，但是它工作在O波段零色散附近，高速傳輸時(shí)受色散影響較小。相比之下，CWDM傳輸可能會(huì)受到較大的色散影響，特別是相比于MZM，EML還是有啁啾的影響，這對(duì)于400GBASE LR來說可能是挑戰(zhàn)，802.3也覺得這個(gè)400G只能支持到6km，即400BBASE-LR4-6。不過對(duì)于100G/lamda MSA工作組來說，它們采用了不同的波長(zhǎng)來解決色散問題，因此MSA定義了400GBASE-LR4-6和400GBASE-LR4-10兩種規(guī)范。

圖3. CWDM的波長(zhǎng)分配

圖4. LAN WDM的波長(zhǎng)分配

  對(duì)于800G光接口，2019年成立了兩個(gè)MSA工作組，一個(gè)是QSFP-DD800 MSA，另一個(gè)是800G Pluggable MSA。在最新發(fā)布的800G Pluggable 白皮書中考慮可能采用單通道100G PAM4實(shí)現(xiàn)800G SR，采用單通道100G或200G來實(shí)現(xiàn)DR和FR場(chǎng)景。對(duì)于后續(xù)的1.6T的話，單通道200G可能是必須的。而對(duì)于LR/ER/ZR等更長(zhǎng)距離的800G應(yīng)用，數(shù)字相干技術(shù)將是更合適的選擇。

圖6. 不同速率接口的調(diào)制方式

  從圖6可以看出，目前在400G以下速率的接口中，單通道50G PAM4和100G PAM4是主流調(diào)制方式，而對(duì)于800G以上速率，單通道200G PAM4甚至相干技術(shù)將可能占主導(dǎo)地位，也許三四年左右，這一需求將會(huì)出現(xiàn)。

  總體上來看，IEEE802.3只是定義了光發(fā)射機(jī)和接收機(jī)的光電方面的總體性能。具體的參數(shù)如機(jī)械尺寸，PIN引腳定義，管理接口定義等是由業(yè)內(nèi)的多源協(xié)議MSA規(guī)定的。當(dāng)前，多種MSA規(guī)范的熱插拔光模塊被廣泛商用。對(duì)于100G，CFP/CFP2/CFP4和OSFP最為流行，而對(duì)于100G以上(200G/400G)業(yè)內(nèi)更傾向于QSFP-DD,OSFP，它們的封裝形態(tài)及主要參數(shù)如下圖。

圖7. 100G+客戶側(cè)模塊主流封裝形態(tài)

  不得不說，隨著數(shù)據(jù)中心內(nèi)部流量不斷快速增長(zhǎng)，交換機(jī)容量、端口密度和接口速率都將面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。特別是光模塊的電口到交換機(jī)內(nèi)部的交換芯片之間的PCB走線將影響信號(hào)完整性，并且交換機(jī)面板上的功耗也會(huì)成為瓶頸。為了解決這兩方面的問題，業(yè)界也在挖掘新的機(jī)會(huì)來替代當(dāng)前這種可插拔光模塊，這就是后光模塊的話題了。

  三、后光模塊時(shí)代

  叫后光模塊時(shí)代似乎有點(diǎn)危言聳聽的味道，但或許去光模塊將成為未來一段時(shí)間內(nèi)的趨勢(shì)。業(yè)界也有越來越多的聲音來探討以后的光模塊是怎樣的，交換機(jī)的架構(gòu)，設(shè)備形態(tài)是怎樣的。甚至18,19,20連續(xù)三年OFC上都有專題討論相關(guān)的問題，論題無非都是，可插拔光模塊是否會(huì)被廢棄?什么時(shí)候廢棄?被什么技術(shù)取代?

  全面而正確地回答上面這三個(gè)問題，會(huì)很難。我只能挑目前主流的觀點(diǎn)結(jié)合我自己的看法來說幾點(diǎn)。

圖8. 交換機(jī)容量及光模塊速率演進(jìn)趨勢(shì)

  a) 當(dāng)前的這種光模塊與設(shè)備的互連方式肯定會(huì)被取代，因?yàn)楫?dāng)前交換機(jī)的最高密度是1RU上可插32個(gè)400G光模塊，對(duì)應(yīng)的容量12.8T。數(shù)據(jù)中心交換機(jī)的容量每?jī)赡攴槐叮瑑扇旰缶蜁?huì)出現(xiàn)51.2T的需求了。假設(shè)業(yè)界那時(shí)800G光模塊已經(jīng)成熟并且尺寸功耗夠小，交換機(jī)還能變大一倍，那樣2RU下最大也就能提供51.2Tb的容量了，可是再繼續(xù)提升就幾乎不可能了，至少基于當(dāng)前的可插拔模塊的路徑是走不通了。

圖9. 光模塊及光芯片組需求量預(yù)測(cè)

  b) 后光模塊技術(shù)的市場(chǎng)需求應(yīng)該會(huì)在2024年左右出現(xiàn)。兩方面原因，一是交換機(jī)容量到達(dá)51.2T的瓶頸會(huì)在2024年左右突顯，如圖8所示;二是Lightcounting機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)以太網(wǎng)數(shù)據(jù)中心光模塊需求量會(huì)在2026年下降，2024年光芯片組開始起量，隨后的較長(zhǎng)的一段時(shí)間里與光模塊競(jìng)爭(zhēng)并成功搶占大部分市場(chǎng)。

  c) 后光模塊時(shí)代兩個(gè)最具競(jìng)爭(zhēng)力的方案分別是板上光學(xué)OBO和共封裝光學(xué)CPO。下圖為三種技術(shù)對(duì)應(yīng)設(shè)備的直觀表示。其中光模塊方案，前面板上是高速電口，光模塊與交換芯片之間有較長(zhǎng)PCB走線;板上光學(xué)OBO方案則把光模塊直接放到交換機(jī)內(nèi)部的主板上了，面板僅留光口，寬度更高，功耗更易控制，高速PCB走線縮短，信號(hào)完整性也更好;共封裝CPO則直接把光引擎(收發(fā)模塊)與電交換芯片在一個(gè)襯底上封裝成一個(gè)芯片，集中解決散熱問題，同時(shí)也可以省去很多的SerDes功能，節(jié)省功耗。

圖10. 光模塊，板上光學(xué)，共封裝三種方案設(shè)備對(duì)比

  d) 進(jìn)一步的，共封裝CPO方案也可能分為兩個(gè)階段，初級(jí)階段是通過在一層介質(zhì)上把電器件和光器件進(jìn)行2.5D封裝，組成多芯片模組(MCM)。終極目標(biāo)是通過硅通孔實(shí)現(xiàn)3D封裝，真正意義上進(jìn)行單片光、電芯片的封裝。如圖11所示。

圖11. 共封裝光學(xué)的兩種可能形態(tài)

  e) OBO和CPO兩種形狀到底能節(jié)省多少功耗呢?見下表所示，很明顯，由于簡(jiǎn)化了SerDes，省去了CDR,DFE/CTLE/FFE等功能，CPO相比于OBO還是有顯著的功耗優(yōu)勢(shì)的，而OBO在可插拔模塊的基礎(chǔ)上也有一些功耗的降低，主要是省去了DFE，PCB走線更短，無須強(qiáng)均衡。而難度比較大的TSV相比于MCM在功耗上似乎也沒有太明顯的優(yōu)勢(shì)，考慮到共封裝的難度，能做個(gè)2.5D的MCM也不錯(cuò)了。

表3. 25G速率時(shí)不同形態(tài)線卡功耗對(duì)比

  f) OBO和CPO雖然都有相應(yīng)的產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟，如COBO，主要由交換機(jī)廠商ARISTA，BROADCOM，CISCO等領(lǐng)銜，而CPO則由數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)商/互聯(lián)網(wǎng)公司微軟和Facebook領(lǐng)導(dǎo)，他們最近也陸續(xù)發(fā)布了一些OBO或CPO概念原型機(jī)，如Intel單片容量達(dá)1.6T，單板容量12.8T。但是這種新技術(shù)也還是面臨一些挑戰(zhàn)的，至少散熱問題很關(guān)鍵。那么多光引擎及大容量的交換芯片封裝在一個(gè)緊湊的面積下，僅風(fēng)扇散熱恐怕不行，至少得上水冷吧。

  新技術(shù)可能不會(huì)馬上就能大規(guī)模商用，但是可能為期不遠(yuǎn)。在未來的5~8年的時(shí)間內(nèi)，雖然OBO或CPO不會(huì)立馬取代現(xiàn)有的可插拔光模塊的地位，但三四年后，開始搶奪市場(chǎng)的趨勢(shì)還是很可能會(huì)出現(xiàn)的。雖然10年內(nèi)不會(huì)完全被某一種形態(tài)的線卡所壟斷，會(huì)存在一個(gè)由可插拔向板上再到MCM或TSV這樣的共封裝的過渡過程，對(duì)于設(shè)備商來說，早做準(zhǔn)備還是有必要的，這種革命性的技術(shù)完全有可能較大程度上改變通信設(shè)備的形態(tài)和產(chǎn)業(yè)鏈。

  也許10年后，可插拔光模塊市場(chǎng)消失了呢？即使不消失，光模塊芯片組高度集成化，線卡設(shè)計(jì)工作僅剩下布局和畫PCB板了，那時(shí)候還需要你做什么呢，你又能做什么呢？