Imec和CST Global發(fā)行集成InP光源

  ICCSZ訊(編譯：Anton)比利時研究中心Imec和英國光子學產品III-V復合半導體設計制造商CST Global宣布，成功地將CST Global的InP100平臺上的InP分布式反饋(DFB)激光器集成到Imec的集成硅光子學平臺(iSiPP)中。

聯(lián)合發(fā)行有望推動硅光子學在成本敏感應用領域的應用，包括光互連、傳感、計算等

  InP-DFB激光器和反射半導體光放大器(RSOA)的混合集成接口將于2021年上半年作為Imec硅光子學原型服務的一部分提供，并在2020年進行進一步優(yōu)化和鑒定工作。Imec-CST Global的這項聯(lián)合技術產品有望在成本敏感型應用中推動硅光子學的應用，這些應用包括光互連，傳感，計算等。

  硅光子學(SiPho)技術在過去幾十年里取得了巨大的進步，并廣泛應用于從光纖通信到傳感等各種應用領域。技術平臺已經發(fā)展成為成熟的工具，可供工業(yè)界和macademia用于原型制造、小批量和大批量制造。但是，一個廣泛可用的、具有成本效益的解決方案在SiPho芯片中集成了光源，這阻礙了SiPho在成本敏感市場的應用。硅本身不能有效地發(fā)光，因此由III-V半導體(如InP或GaAs)制成的光源通常作為單獨封裝的組件來實現。這種外部光源通常會遭受更高的耦合損耗、較大的物理形狀因子和較大的封裝成本。

  Imec最近與CST Global聯(lián)手，將Imec的SiPho技術組合擴展為被動組裝、邊緣發(fā)射、InP-DFB激光器和InP-rsoa。這項合作始于2019年，現已在Imec的iSiPP平臺上成功組裝了第一批C波段(1530-1565nm)InP-DFB激光器。 InP激光器通過模到模粘合的鍵合工藝“倒裝芯片”集成到SiPho電路上，可有效對準并將大于5mW的功率耦合到SiPho芯片上的SiN波導中。

  Imec光學I/O項目主管Joris Van Campenhout：“我們很高興與CST Global合作，利用混合集成InP光源擴展Imec的硅光子學產品組合。我們的第一個被動激光裝置已經證明了良好的初步結果。在整個2020年，我們將進一步優(yōu)化激光組裝工藝的精度和生產量;擴展功能，包括1310/1550nm波長的RSOA集成;執(zhí)行可靠性鑒定。我們預計，這些混合集成光源的可用性將促進SiPho設備在各種成本敏感市場的工業(yè)應用。預計到2021年上半年，通過Imec的iSiPP200原型服務可以提前進入市場?！?

  CST Global的集成經理Antonio Samarelli說：“我們非常高興能與Imec合作完成這個項目。在CST的InP100制造平臺上設計和制造的InP光源(DFBs和RSOAs)的混合集成，結合iSiPP平臺，可為未來的先進組件創(chuàng)建強大的光子集成電路(PIC)，從而提高性能并降低成本。我們將繼續(xù)與Imec密切合作，擴展InP100平臺的功能和能力，以滿足大容量商業(yè)應用中新型、先進PIC的InP光源要求?！?