5G承載光模塊白皮書(shū)之前傳關(guān)鍵光模塊技術(shù)方案

  ICCSZ訊 2019年1月，IMT-2020(5G)推進(jìn)組發(fā)布“5G承載光模塊白皮書(shū)(最終稿)”，白皮書(shū)基于5G承載網(wǎng)絡(luò)對(duì)光模塊的應(yīng)用需求，結(jié)合光模塊技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀，聚焦研究不同應(yīng)用場(chǎng)景下的關(guān)鍵5G承載光模塊技術(shù)方案，分析現(xiàn)有光模塊及核心光電子芯片產(chǎn)業(yè)化能力并開(kāi)展測(cè)試評(píng)估，提出我國(guó)5G承載光模塊技術(shù)與產(chǎn)業(yè)發(fā)展建議。

  業(yè)界應(yīng)進(jìn)一步合力優(yōu)化和收斂關(guān)鍵技術(shù)方案，加速推動(dòng)5G承載光模塊逐步成熟并規(guī)模應(yīng)用，有力支撐5G商用部署與應(yīng)用。本篇報(bào)道將介紹“5G承載光模塊白皮書(shū)”對(duì)前傳關(guān)鍵光模塊技術(shù)方案的分析。

  前傳關(guān)鍵光模塊技術(shù)方案 — 關(guān)鍵詞：灰光、彩光、雙纖雙向、單纖雙向、25G、可調(diào)諧（Tunable）

  25Gb/s雙纖雙向灰光模塊

  25Gb/s雙纖雙向灰光模塊的典型傳輸距離包括300m和10km。300m光模塊通常用于基站的塔上塔下互連，10km光模塊主要用于傳輸距離更遠(yuǎn)或鏈路損耗更大的AAU與接入機(jī)房(站點(diǎn))之間的光纖直連場(chǎng)景。

  25Gb/s雙纖雙向灰光模塊功能框圖及產(chǎn)品示例如圖3所示。IEEE 802.3cc已完成25GbE單模光纖接口規(guī)范，CCSA已啟動(dòng)國(guó)內(nèi)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化制定工作，預(yù)計(jì)2019年完成報(bào)批。

圖3 | 25Gb/s雙纖雙向灰光模塊

  光模塊可采用25G和10G兩種波特率的激光器芯片來(lái)實(shí)現(xiàn)。25G波特率工業(yè)級(jí)激光器芯片可靠性要求與量產(chǎn)工藝要求較高，市場(chǎng)供應(yīng)渠道有限。10G波特率工業(yè)級(jí)激光器芯片能充分利用成熟的供應(yīng)鏈，可有效降低光模塊成本，目前業(yè)界主要有超頻、PAM4高階調(diào)制兩種實(shí)現(xiàn)方案，功能框圖分別如圖4和圖5所示。

  超頻方案包含F(xiàn)P和DFB兩種實(shí)現(xiàn)方式。FP激光器方式中，影響傳輸距離的主要因素包括鏈路衰減損耗、碼間干擾(ISI)代價(jià)、模式分配噪聲(MPN)代價(jià)等，理論上可支持300m以上的傳輸距離。DFB激光器方式中，由于中心波長(zhǎng)更靠近G.652光纖零色散點(diǎn)、光譜寬度更窄、以及可忽略模式分配噪聲等，理論上可支持10km以上的傳輸距離。目前基于FP激光器的25Gb/s雙纖雙向300m光模塊已經(jīng)成熟，基于DFB激光器的25Gb/s雙纖雙向10km光模塊還需進(jìn)一步完善。PAM4方案采用10G波特率的工業(yè)級(jí)激光器與光探測(cè)器，但在配套IC方面需要更換為線性度更高的激光器驅(qū)動(dòng)和TIA芯片，同時(shí)增加25Gb/s NRZ和25Gb/s PAM4相互轉(zhuǎn)換的DSP芯片。目前已實(shí)現(xiàn)10~15km演示試驗(yàn)，配套芯片仍處于研發(fā)階段，綜合成本有待進(jìn)一步評(píng)估。綜上分析，采用10G波特率工業(yè)級(jí)激光器芯片的25Gb/s光模塊，300m規(guī)格可優(yōu)先采用超頻方案，10km規(guī)格超頻方案存在一定技術(shù)挑戰(zhàn);PAM4方案在10km及更長(zhǎng)傳輸距離的應(yīng)用取決于配套芯片的規(guī)模效應(yīng)。

  25Gb/s單纖雙向灰光模塊

  BiDi光模塊具有節(jié)省50%的光纖資源、上下行等距可有效保證高精度時(shí)間同步等優(yōu)勢(shì)，具體時(shí)延對(duì)稱(chēng)性?xún)?yōu)勢(shì)分析詳見(jiàn)本白皮書(shū)第四部分，典型傳輸距離10km、15km、20km。25G BiDi的技術(shù)方案主要有兩種，一是利用不同波長(zhǎng)的波分復(fù)用(WDM)實(shí)現(xiàn)，二是利用相同(或不同)波長(zhǎng)結(jié)合環(huán)形器的方式實(shí)現(xiàn)，如圖6所示。

圖6 | 25Gb/s單纖雙向灰光模塊

  環(huán)形器方案對(duì)公共端(圖6b中的兩端)反射串?dāng)_非常敏感，出纖需要采用具有高回?fù)p指標(biāo)的光纖傾斜端面接口，并對(duì)實(shí)際工程使用提出了較高的防塵要求，25Gb/s BiDi光模塊建議優(yōu)先考慮WDM方案。在波長(zhǎng)對(duì)選擇上業(yè)界主要有 1270nm/1310nm和1270nm/1330nm兩種方案，CCSA 25Gb/s BiDi光模塊標(biāo)準(zhǔn)征求意見(jiàn)稿已初步確定1270nm/1330nm波長(zhǎng)方案，預(yù)計(jì)在2019年完成標(biāo)準(zhǔn)制定工作。

  25Gb/s可調(diào)諧彩光模塊

  在5G網(wǎng)絡(luò)建設(shè)初期，前傳將以光纖直驅(qū)方式為主，伴隨著高頻組網(wǎng)以及低頻增點(diǎn)等深度覆蓋，為充分利用已有光纖資源或解決光纖資源緊張問(wèn)題，WDM方式會(huì)成為有益補(bǔ)充，其中波長(zhǎng)可調(diào)諧(Tunable)光模塊是其核心單元。我國(guó)牽頭起草發(fā)布的ITU-T G.698.4標(biāo)準(zhǔn)(G.Metro)已定義10Gb/s接入型WDM組網(wǎng)和波長(zhǎng)無(wú)關(guān)、無(wú)色化實(shí)現(xiàn)機(jī)制，目前業(yè)界正在探討25Gb/s速率的技術(shù)方案。25Gb/s波長(zhǎng)可調(diào)諧光模塊功能框圖如圖7所示。

圖7 | 25Gb/s波長(zhǎng)可調(diào)諧彩光模塊

  根據(jù)光源類(lèi)型及調(diào)諧方式的不同，波長(zhǎng)可調(diào)諧激光器存在多種技術(shù)方案，五種最典型的方案對(duì)比如表4所示?；谌庸鈻欧植疾祭穹瓷淦?SG-DBR)技術(shù)的激光器具有波長(zhǎng)可調(diào)諧范圍寬、調(diào)諧速度快、調(diào)制速率高和成本相對(duì)較低等優(yōu)勢(shì)，是業(yè)界主流技術(shù)方案，受專(zhuān)利等限制，國(guó)內(nèi)量產(chǎn)能力有限。目前國(guó)內(nèi)基本具備DBR可調(diào)激光器的產(chǎn)業(yè)化能力，波長(zhǎng)調(diào)諧范圍支持10nm量級(jí)，一般可滿足20通道@100GHz波長(zhǎng)間隔的應(yīng)用場(chǎng)景。另外，外腔激光器、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS) VCSEL、DFB陣列等方案因成本、穩(wěn)定性、工作帶寬和調(diào)諧時(shí)間等限制尚在進(jìn)一步研究中，尚不具備規(guī)模產(chǎn)業(yè)化能力。

  100/200Gb/s單纖雙向灰光模塊

  100/200Gb/s BiDi 10km光模塊的技術(shù)方案正處于研究階段，典型實(shí)現(xiàn)方式包括環(huán)形器和WDM兩種，功能框圖如圖8所示。

圖8 | 100Gb/s BiDi灰光模塊功能框圖

  100/200Gb/s BiDi光模塊的核心激光器芯片主要由國(guó)外廠商提供，目前可支持O波段CWDM(4波)或LWDM(4波)兩種，波長(zhǎng)數(shù)量有限?，F(xiàn)階段單纖雙向技術(shù)的實(shí)現(xiàn)方案建議優(yōu)先采用小型化環(huán)形器(圖8 a所示)。后續(xù)隨著PAM4技術(shù)進(jìn)一步成熟，2×50Gb/s或1×100Gb/s或?qū)⒊蔀橄乱淮?00Gb/s光模塊的主流技術(shù)方案，采用WDM實(shí)現(xiàn)單纖雙向?qū)⑹歉?jīng)濟(jì)的方式(圖8 b所示)。

  上篇報(bào)道：5G承載光模塊白皮書(shū)之應(yīng)用場(chǎng)景及發(fā)展現(xiàn)狀分析

  下篇預(yù)告：5G承載光模塊白皮書(shū)之中回傳關(guān)鍵光模塊技術(shù)方案