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OptiNet2018 | 飛昂通訊毛蔚:混合集成是光電芯片未來方向 產業(yè)需攜手破題

摘要:在光通訊領域享有重要影響力的OptiNet2018光器件專題會議在北京圓滿舉辦。會上,中國高速光互連收發(fā)芯片的領軍企業(yè),飛昂通訊科技南通有限公司(WINGCOMM,簡稱飛昂通訊)作為國內首家實現量產25G/100G高速光互連收發(fā)芯片的企業(yè),備受與會專家和企業(yè)的關注。飛昂通訊CTO毛蔚博士為大會作了主題為《100G/400G 中國芯的機遇與挑戰(zhàn)》的演講報告,向近200名業(yè)界人士介紹光通訊速率升級情況和光電芯片的工藝發(fā)展。

  ICCSZ訊(編輯:Aiur) 6月14日,在光通訊領域享有重要影響力的OptiNet2018光器件專題會議在北京圓滿舉辦。會上,中國高速光互連收發(fā)芯片的領軍企業(yè),飛昂通訊科技南通有限公司(WINGCOMM,簡稱飛昂通訊)作為國內首家實現量產25G/100G高速光互連收發(fā)芯片的企業(yè),備受與會專家和企業(yè)的關注。飛昂通訊CTO毛蔚博士為大會作了主題為《100G/400G 中國芯的機遇與挑戰(zhàn)》的演講報告,向近200名業(yè)界人士介紹光通訊速率升級情況和光電芯片的工藝發(fā)展。

飛昂通訊CTO毛蔚博士

  眾所周知,光通訊分為兩個部分,一個是以中短距離傳輸和點對點為特點的光互聯,另一個是以長距離和點對多點為特點的光傳輸。

  在光通訊人士孜孜追求的速率升級過程中,速率周期越來越短,從過去10G部署到25G部署用近15年時間實現,但25G部署到50G、甚至100G部署會加速升級。過去10G/40G光模塊芯片有PD、LD、TIA和LDD,采用NRZ調制,25G/100G光模塊芯片增加了CDR以滿足信號完整性,并沿用了NRZ調制。100G/400G高速時代,受制于光器件帶寬,除了PAM4調制已經成為行業(yè)共識,DSP的在電路部分的可行性以及III-V與SiPho兩種半導體材料的較量,成為困擾當前行業(yè)的主要難題。

  CMOS VS SiGe 和III-V vs硅光的爭議

  毛博士認為,10G向25G升級對信號完整性有更為嚴苛的要求,業(yè)界在光模塊中添加CDR來確保信號完整,也讓電路更加復雜。當速率發(fā)展到50G,在400G產品中電路是否采用DSP還有很大的爭議,光路部分是沿用III-V族還是硅光也是一大爭論。400G使用DSP主要是因為其功能強大,把模擬轉化為數字信號后再處理數字信號,缺點是功耗很高。DSP使用16nm甚至7nmCMOS工藝制作,這種工藝適合對成本敏感的海量市場,如CPU、GPU、AP、FPGA等,可以通過攤薄降低成本。

  CMOS為表面器件,性能上會受制于Surface Roughness,產生噪音較大影響靈敏度。關鍵一點,CMOS線性度低,不利于PAM4電路,而功耗方面則因為低Gm,為實現高線性增益需要消耗更大功耗。光模塊中傳統(tǒng)的TIA和LDD電路均采用SiGe工藝,這種工藝更適用于模擬信號。CMOS是12寸晶圓,適合海量的市場,可通過后期攤薄降低成本,但光模塊僅僅是個數百萬規(guī)模量的市場,攤薄能力較差,而SiGe是8寸晶圓,在成本上更適合于光模塊的開發(fā)。綜合考慮器件帶寬和成本因素,SiGe的性價比在130nm之后就超過了CMOS。

  硅光大熱下混合集成會是未來主流

  硅光是目前火熱的話題,硅光器件可分為有源器件和無源器件,有源器件包括探測器、激光器和調制器,而毛博士介紹了飛昂公司在調制器和探測器方面的設計和理解。調制器經典做法是使用P/N MZI通過調制波導改變相位,兩束光經過不同的相位后進行相干就能得到不同幅度的調制。這種調制器的組成,先把光通過1:2的MMI分光成2路,通過兩路不同的相位差,再到2:1的MMI合到一起相干,這個調制器工藝在晶圓廠已經比較成熟。探測器采用PIN,結構簡單且性能出色,但需要Ge,而非純Si工藝。

  無源器件包括MMI、AWG、delay、光柵、resonator,coupler和各種光波導等,這些器件形成一個完整的光路。由于物理限制,硅無法取代III-V族制作激光器,在光耦合方面總體有三種方法,一是bonded hybrid laser,直接將III-V族激光器嫁接到晶圓上,這對工藝有很高要求;二是Attached laser,把激光Attached到晶圓的同時對準波導。三是Off-chip laser通過一根光纖,光纖放在晶圓上的一個V槽里,對準波導。毛博士表示,硅光耦合還有很多問題需要探索,例如如何最小化其損耗,如何解決光在TE和TM之間的轉換,如何實現量產測試。

  飛昂公司認為Fusion(混合集成)會是未來主流,硅光和集成電路將混合集成在一塊芯片上。毛博士介紹了當前混合集成的難題,首先電芯片使用的是BULK襯底,而硅光使用SOI襯底,由于SOI是是一種絕緣體,兩者要放在一起的話,等于是要在SOI上既做光路也要做電路,這方面的難點在于SOI襯底是否對電路足夠友好。其次,現在光路設計有一套方法,電路設計也有一套方法,光電混合的co-design需要EDA支持。再次,因為光路非常占用面積,而光和電對工藝的先進性要求不一致,怎么做性能跟成本之間的權衡,需要業(yè)界繼續(xù)探索。

  100G/400G中國芯機會 產業(yè)需上下齊心

  飛昂通訊目前實現了25G/100G光互聯芯片的國產化,公司25G/100G產品采用100% IN-HOUSE測試,每一個DIE都是全速度的光電結合測試。100G/400G中國芯機會方面,毛博士認為行業(yè)首先應該關注高端細分領域,根據木桶原理,一個木桶最大水量由最短板決定,中國有很好的ASIC開發(fā)能力,但在高速模擬這塊做得還不好,特種工藝則更為欠缺。其次,要聆聽客戶,了解市場需要的東西,而不是盲目追求一些熱點。第三,墨菲定律跟摩爾定律一樣重要,質量是首位,成敗在于細節(jié)。第四,行業(yè)要增強上下游合作,有助對早期產品開發(fā)適應于市場的需求,尤其是定制化產品的開發(fā)。

  以前的高端芯片是國外設計、國外制造,現在中國處在自主設計、國外制造階段,毛博士期待未來能實現中國設計中國制造,在“家門口”流片,這需要大家攜手共進,迎難而上。

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