光迅科技：2017年自研中高端芯片助力業(yè)績加速 首期限制性激勵解鎖

　　ICCSZ訊  2016年12月30日，光迅科技公告首期限制性激勵股份滿足解鎖條件。第一批解鎖股份共204.8萬股(授予價19.52元)；海通證券對此預計2017年1月相關限制性激勵解禁股份辦完解鎖條件后流通上市。

　　2017年，自研中高端芯片助力業(yè)績加速。光迅科技自研10G光模塊芯片經過2015-2016年的穩(wěn)定改進及產能放量，2017年10G光模塊芯片自給率有望大幅提升。

　　高端市場供不應求的100G光模塊，光迅科技預期2017年下半年實現(xiàn)芯片量產，實現(xiàn)國內100G高端光模塊芯片領域的自研及量產突破，芯片逐步自產也將大幅提升目前100G光模塊的出貨產能；

　　公司此前11月30日公告的擬以1000萬美元現(xiàn)金增資全資子公司AccelinkUSACorporation(光迅美國)，在美國建設為期1.5年的高端產品研發(fā)中心，即是配套公司100G光模塊芯片的量產及后續(xù)封裝環(huán)節(jié)。

　　受益互聯(lián)網流量爆發(fā)對運營商傳輸網/接入網中高速光模塊需求的快速增長、云數(shù)據(jù)中心市場10/40/100G光模塊需求的高速增長，2017年光迅科技有望實現(xiàn)收入高速增長、毛利率及凈利率雙升的業(yè)績共振。