Molxe推出大光譜FBPI光纖 用于全景光譜感測器分析

        今日消息，Molex近日宣布其子公司Polymicro Technologies成功地開發(fā)出一款使用低氫氧基(Low-OH)純矽土內(nèi)芯的大光譜光纖，該光纖具有顯著減少的紫外線(UV)缺陷和其它UV吸收中心點(diǎn)含量。Polymicro的專有FBPI光纖利用標(biāo)準(zhǔn)光纖的優(yōu)勢并減少其限制。以矽土為基礎(chǔ)的寬頻FBPI光纖在明顯增大的光譜范圍具有改進(jìn)的傳輸特性，提供一系列密度選擇，能夠制造50-600微米(μm)內(nèi)芯直徑光纖。

　　Polymicro Technologies業(yè)務(wù)發(fā)展經(jīng)理Robert Dauphinais表示，本次新推出的大光譜FBPI光纖經(jīng)過最佳化，可用于全景光譜儀和感測器分析。FBFI光纖提供出色的性能，并結(jié)合耐輻射和耐曝曬性能，防止輻射和曝曬導(dǎo)致光纖性能退化和縮短產(chǎn)品壽命。

　　在超過2100納米(nm)的近紅外線(NIR)波長區(qū)域，Polymicro FBPI光纖的衰減等同于具有低氫氧基矽土內(nèi)芯和加氟表層的標(biāo)準(zhǔn)NIR光纖，其抗曝曬性能可媲美具有高耐輻射性的標(biāo)準(zhǔn)UV優(yōu)化高氫氧基光纖，并且具有低至200納米的UV傳輸性能。