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每Gbit秒的耗電量僅7mW!古河電工試制設備內(nèi)光布線模塊

摘要:日本古河電氣工業(yè)試制了耗電量小的設備內(nèi)光布線模塊(圖1)。該模塊能夠以0.84W以下的功耗、以10Gbit/秒×12條信道共計120Gbit/秒的速度傳輸300m(管殼溫度為15~80℃)。換算為每Gbit/秒的耗電量7mW。設想主要用于服務器、路由器等板卡間的設備內(nèi)光布線。目標是2010年投產(chǎn)。

    日本古河電氣工業(yè)試制了耗電量小的設備內(nèi)光布線模塊(圖1)。該模塊能夠以0.84W以下的功耗、以10Gbit/秒×12條信道共計120Gbit/秒的速度傳輸300m(管殼溫度為15~80℃)。換算為每Gbit/秒的耗電量7mW。設想主要用于服務器、路由器等板卡間的設備內(nèi)光布線。目標是2010年投產(chǎn)。
 
    模塊的外形尺寸為13mm×13mm×3.4mm,裝入電器插座和散熱器后,尺寸為21.7mm×21mm×13.7mm(圖2)。傳輸線路采用了石英光纖。
 
    使用1μm頻帯
 
    該模塊之所以能夠降低耗電量,是因為削減了光源VCSEL、驅(qū)動IC和以受光元件放大光電轉(zhuǎn)換后電信號的跨阻放大器(TIA)等的耗電量。VCSEL以古河電氣工業(yè)開發(fā)的高效產(chǎn)品為基礎,支持10Gbit/秒的高速調(diào)制。振蕩波長為1060nm。VCSEL的驅(qū)動IC和TIA為其他公司制造。
 
    采用VCSEL時,多使用振蕩波長850nm產(chǎn)品。像此試制品這樣采用1μm頻帯有兩個好處。一是在石英光纖上的損耗少,二是容易通過受光元件提高感光度。
 
    與使用GaAs光電二極管(PD)接收850nm頻帯的光相比,采用InGaAs的PD接收1μm頻帯的光時,感光度約提高25%。提高感光度還有利于降低耗電量。
 
    傳輸線路方面,除石英光纖外,還可以采用使用有機材料的光導波路。但“要想較早地在2010~2012年投產(chǎn),使用石英光纖是比較現(xiàn)實的”。
 
    面向手機用途的設備內(nèi)光布線研究開發(fā)也日益活躍。不過,古河電氣工業(yè)不準備涉足該用途。其將專注于服務器及路由器等“要求大容量和高可靠性的領域”。




圖2:模塊本身、裝入電器插座后以及用散熱器固定后

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