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量子點半導體激光器前途光明

訊石光通訊網   發(fā)布時間:2004/6/29 9:08:01   編者:ICCSZ    
摘要： 俄德合資成立的NSC-Nanosemiconductor GmbH公司日前宣布，密西根大學的研究人員采用該公司提供的晶圓，已經制作出能在0~80℃范圍內穩(wěn)定工作的
    俄德合資成立的NSC-Nanosemiconductor GmbH公司日前宣布，密西根大學的研究人員采用該公司提供的晶圓，已經制作出能在0~80℃范圍內穩(wěn)定工作的波長1.3μm邊射型半導體激光器(edge-emitting semiconductor laser)。

　　NSC-Nanosemiconductor GmbH的首席執(zhí)行官Berned Meyer表示，量子點 (quantum dot)技術及分子束外延(MBE)制造法所提供的溫度穩(wěn)定性，使半導體激光器不需要熱電偶冷卻器及復雜的光探測電路，就能在一定的溫度范圍內維持固定的工作功率，光收發(fā)器制造商將因此得以節(jié)省成本并簡化工藝。

　　這家由俄羅斯Abram Ioffe物理技術研究獨立出來的公司，采用的是與砷化鎵 (GaAs)有關的量子點技術及一種降低缺陷的專利技術。該公司宣稱，Pallab Bhattacharya 領導的密西根研究小組已將他們生產的晶圓加工成400μ×3μ的脊狀波導激光器(ridge waveguide laser)。

　　Bhattacharya指出，實驗已經證明自組織（self-organized）量子點激光器有超低的閥值電流、高輸出功率及效率、極低的啁啾現(xiàn)象、小于1的線寬增強因子，以及大的調制頻寬，現(xiàn)在再加上工作不受溫度影響，量子點激光器已經蛻變成令人敬畏的技術。 Abram Ioffe的所長諾貝爾獎得主Zhores Alferov，同時也是NSC-Nanosemiconductor科學顧問群的榮譽主席，對于多年的先進研究得以真正實現(xiàn)也表示非常欣慰，并斷言這只是量子點技術進一步技改造半導體激光器領域的開端。
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文章標題:量子點半導體激光器前途光明
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