正源公司核心設(shè)備MOCVD投入使用，DFB激光器研發(fā)成功

 金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）是半導(dǎo)體材料外延生長的重要技術(shù)，是目前廣泛采用的化合物半導(dǎo)體薄層單晶的先進(jìn)方法，特別在生長量子阱和超晶格方面有較大優(yōu)勢，更因?yàn)檫@種生長方法可以控制到納米量級，所以在高端、高速的光電器件，漸變單量子阱或多量子阱結(jié)構(gòu)，光電集成器件以及“能帶工程”等領(lǐng)域的研制開發(fā)上成為核心技術(shù)。
    正源公司為達(dá)到具有自主知識產(chǎn)權(quán)，具備技術(shù)核心競爭力的目標(biāo)，引進(jìn)了英國Thomas Swan公司生產(chǎn)的用于InP、GaAs等三、五族材料系生長的MOCVD。該設(shè)備投入使用對公司發(fā)展有重大意義，為公司產(chǎn)品的升級和以后高端產(chǎn)品的研發(fā)提供了條件，在高端激光器制作中真正實(shí)現(xiàn)了全程工藝鏈，為真正達(dá)到具有國內(nèi)領(lǐng)先和國際競爭力的目標(biāo)打下了基礎(chǔ)。
    目前管芯研發(fā)部在DFB高端激光器開發(fā)上已取得成功，完成了RWG結(jié)構(gòu)1310、1550nm DFB激光器的研制?，F(xiàn)階段選擇InGaAsP或AlGaInAs材料，采用折射率耦合結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，利用全息光刻技術(shù)完成對布拉格光柵在波導(dǎo)層上的制作，二次外延利用MOCVD技術(shù)完成腐蝕停止層、InP層、1.3和1.5微米InGaAsP以及InGaAs高摻雜接觸層的生長，生長表面良好；在結(jié)構(gòu)上運(yùn)用常用直墻（VM）或反向梯形（RM）的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)；同時進(jìn)行了減少熱阻和串聯(lián)電阻的優(yōu)化，以平面圖形電極實(shí)現(xiàn)上述要求；根據(jù)測試結(jié)果，1310nm、1550nm波長的DFB型RWG激光器部分指標(biāo)均已達(dá)到目前國內(nèi)外同類產(chǎn)品的水平，在閾值到較大電流范圍內(nèi)可以實(shí)現(xiàn)全程單模，鍍膜前單模成品率前達(dá)到50％以上。由于工藝條件比較穩(wěn)定，DFB激光器將于9~10月開始進(jìn)行批量生產(chǎn)。
    管芯研發(fā)部已計(jì)劃進(jìn)行DC-PBH結(jié)構(gòu)DFB激光器、λ/4相移光柵DFB激光器、特殊設(shè)計(jì)減小SBH的CATV用DFB激光器、啁啾光柵DFB激光器以及增益耦合DFB激光器等項(xiàng)目研究，這些高端產(chǎn)品的研發(fā)將提高正源公司的技術(shù)水平和產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，將加快高科技和高利潤的結(jié)合，同時形成技術(shù)競爭優(yōu)勢。