ICC訊 2024年5月17日,由國家信息光電子創(chuàng)新中心、鵬城實驗室主辦,ICC訊石承辦的第六屆硅光產(chǎn)業(yè)論壇(SiPC 2024)的在武漢光谷科技會展中心舉辦。國家信息光電子創(chuàng)新中心總經(jīng)理肖希博士,帶來主題演講《NOEIC光電子芯片fabless服務(wù)體系和技術(shù)進(jìn)展》。
肖希博士指出,硅光產(chǎn)業(yè)的發(fā)展并非一帆風(fēng)順。從2000年左右IBM和英特爾率先揭開了硅光產(chǎn)業(yè)的序幕,該領(lǐng)域經(jīng)歷了長時間的探索與積累,直至近年才正式進(jìn)入迅猛增長階段。雖然硅光在光通信領(lǐng)域的應(yīng)用前景一度被寄予厚望,但現(xiàn)實需求并未能完全匹配其巨大的產(chǎn)能潛力。然而,令人驚喜的是,硅光技術(shù)率先在算力集群中實現(xiàn)了應(yīng)用,并在海外尤其是英偉達(dá)等企業(yè)的推動下,迅速占據(jù)了機(jī)柜間互聯(lián)市場的主導(dǎo)地位。
肖希博士強(qiáng)調(diào),硅光之所以能在算力網(wǎng)市場迅速崛起,主要得益于其基于fabless模式開發(fā)的新型光電子產(chǎn)業(yè)鏈條。從設(shè)計仿真到工藝加工制備,再到封裝和測試,整個環(huán)節(jié)都實現(xiàn)了標(biāo)準(zhǔn)化,吸引了國內(nèi)外眾多公司的參與。國家信息光電子創(chuàng)新中心自建設(shè)之初就致力于探索和深化硅光的fabless模式,投入超過6億元打造了包括硅光設(shè)計仿真、設(shè)施篩檢、后端混合集成封測以及三五族高端芯片等多個中試平臺,為硅光產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展提供了有力支撐。
論壇上,肖希博士還分享了一系列硅光技術(shù)的關(guān)鍵突破,包括解決超過100G赫茲硅光調(diào)試器器件的技術(shù)難題,實現(xiàn)400G以內(nèi)的相干光芯片產(chǎn)業(yè)化,以及800G以內(nèi)的數(shù)通芯片產(chǎn)業(yè)化等。此外,中心還致力于深化光電融合新的芯片體系研究,成功實現(xiàn)了三維封裝硅光3D的發(fā)射和接收技術(shù),單片互聯(lián)帶寬可高達(dá)2PB每秒,為硅光技術(shù)的未來發(fā)展開辟了新的可能性。
基于平臺的能力,肖希博士表示,國家信息光電子創(chuàng)新中心已支持國內(nèi)近200家單位,完成了400余次服務(wù)訂單,幫助客戶解決了110G赫茲鈮酸鋰薄膜產(chǎn)業(yè)化調(diào)制等問題。未來,中心還將與合作伙伴共同推進(jìn)12寸硅光PDK國產(chǎn)化、8寸鈮酸鋰薄膜PDK及8寸氮化硅PDK的開發(fā),以推動硅光技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展和應(yīng)用。
對于硅光產(chǎn)業(yè)的未來,肖希博士提出了新的使命——將光子信息技術(shù)融入集成電路領(lǐng)域,開辟新的發(fā)展空間。他強(qiáng)調(diào),這不僅需要光電子領(lǐng)域的專家努力,還需要集成電路領(lǐng)域的相關(guān)企業(yè)和工藝線共同協(xié)作,為國內(nèi)的集成電路發(fā)展開辟一個新的賽道。
肖希博士認(rèn)為硅光新的使命不僅僅是跟其他的光芯片材料去PK,而是融合我們各種材料體系的這種技術(shù)優(yōu)勢,把我們?nèi)遄?、鈮酸鋰薄膜、氮化硅?2寸硅光的材料體系能夠兼容并包。
第六屆硅光產(chǎn)業(yè)論壇的成功舉辦,不僅為硅光產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供了重要的交流平臺,也為未來硅光技術(shù)的創(chuàng)新和應(yīng)用指明了方向。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和市場的不斷擴(kuò)大,相信硅光產(chǎn)業(yè)將在未來展現(xiàn)出更加廣闊的發(fā)展前景。