ICC訊 據(jù)媒體報(bào)道,蘋果公司首席運(yùn)營Jeff Williams拜訪臺積電,雙方舉辦了一場秘密會議,蘋果將包圓臺積電初期2nm工藝產(chǎn)能。
據(jù)悉,臺積電在2nm制程中首次使用GAAFET技術(shù),區(qū)別于3nm和5nm制程所采用的鰭式場效晶體管(FinFET)架構(gòu),GAAFET架構(gòu)是以環(huán)繞閘極(GAA)制程為基礎(chǔ)的架構(gòu),可以解決FinFETch因?yàn)橹瞥涛⒖s而產(chǎn)生的電流控制漏電等物理極限問題。
與FinFET晶體管技術(shù)相比,GAAFET晶體管技術(shù)結(jié)構(gòu)更復(fù)雜,閾值電壓更低,這樣性能更強(qiáng),耗電量更低,功耗表現(xiàn)更佳。
據(jù)悉,臺積電正在花費(fèi)數(shù)十億美元進(jìn)行產(chǎn)線升級,而蘋果也需要改變芯片設(shè)計(jì)以適應(yīng)新技術(shù)。
眾所周知,蘋果是臺積電的主要客戶,它通常是第一個(gè)獲得臺積電最新芯片制程的客戶,例如蘋果在2023年包下了臺積電用于iPhone、iPad和Mac的所有3nm芯片產(chǎn)能。
因此,臺積電2nm也將由蘋果首發(fā)使用,這項(xiàng)工藝制程最快會在2025年量產(chǎn)。