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富泰科技原廠KST—日本首家設(shè)計(jì)并加工半導(dǎo)體及光通信用硅晶圓以及膜產(chǎn)品

摘要:富泰科技原廠-KST公司利用獨(dú)有的生長(zhǎng)工藝,能夠制備氧化層厚達(dá)20um的SOI(Silicon on Insulator)晶圓。除了常規(guī)的SOI晶圓之外,KST還可以根據(jù)客戶要求制作具有腔體結(jié)構(gòu)的SOI晶圓(Cavity SOI)。

 ICC訊 超厚的熱氧化層硅片:在平面光波導(dǎo)(AWG)制作過程中,處于最底層的SiO2膜被稱之為Undercladding層,它對(duì)AWG的工藝良率有至關(guān)重要的影響。KST公司生產(chǎn)的超厚熱氧化層硅片,由于具有優(yōu)異的表面潔凈措施以及穩(wěn)定的薄膜質(zhì)量,占據(jù)了全球AWG市場(chǎng)的最大份額。

  薄氧化層硅片:用于設(shè)備制造商的蝕刻速率測(cè)試和OSAT公司的封裝測(cè)試等測(cè)試領(lǐng)域。

  SOI晶圓:KST公司利用獨(dú)有的生長(zhǎng)工藝,能夠制備氧化層厚達(dá)20um的SOI(Silicon on Insulator)晶圓。除了常規(guī)的SOI晶圓之外,KST還可以根據(jù)客戶要求制作具有腔體結(jié)構(gòu)的SOI晶圓(Cavity SOI),SOI 晶圓利用了 KST 獨(dú)特的厚熱氧化膜技術(shù)特點(diǎn),是具有壓力傳感器等膜片結(jié)構(gòu)的MEMS設(shè)備的最佳選擇。

  富泰科技(香港)有限公司正式成立于2005年,專注于先進(jìn)光電技術(shù)應(yīng)用,為光通信、工業(yè)與科研用戶提供專業(yè)的物料選型、核心器件供應(yīng)以及系統(tǒng)方案支持。我們的客戶群體涵括通信行業(yè)系統(tǒng)集成商及國(guó)內(nèi)外光通信器件、模塊制造商、光電領(lǐng)域高校、重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室等。如今,我們服務(wù)的市場(chǎng)覆蓋光纖通信、傳感、精密光譜、量子信息處理和半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域。

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