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消息稱臺積電將下調(diào)今年資本支出,降至 300 億美元以下

摘要:臺積電受到英特爾 3 納米工藝外包延后、美國新廠 4nm 工藝量產(chǎn)延遲等諸多因素影響,該公司今年資本指出降至 300 億美元以下,如果消息屬實(shí),將會創(chuàng)下近三年來的最低點(diǎn)。

  10 月 17 日消息,根據(jù)《經(jīng)濟(jì)日報》報道,臺積電受到英特爾 3 納米工藝外包延后、美國新廠 4nm 工藝量產(chǎn)延遲等諸多因素影響,該公司今年資本指出降至 300 億美元以下,如果消息屬實(shí),將會創(chuàng)下近三年來的最低點(diǎn)。

 

  市場研究人員認(rèn)為,臺積電即便下調(diào)今年的資本支出,也會增加研發(fā)費(fèi)用,繼續(xù)推進(jìn)先進(jìn)工藝的研發(fā)。

  積電迅速擴(kuò)大資本支出,去年達(dá)到 363 億美元的歷史新高。今年上半年,實(shí)際資本支出為 181.1 億美元,其中第二季度為 81.7 億美元,較第一季度的 99.4 億美元略有下降。

  臺積電在 7 月份的財報會議上表示,今年的資本支出將保持在 320 億美元至 360 億美元(當(dāng)前約 2339.2 億元至 2631.6 億元人民幣)之間,考慮到市場動態(tài),預(yù)計全年實(shí)際支出將接近該區(qū)間的下限。

  最新報告顯示,由于英特爾 3 納米外包的延遲以及美國晶圓廠 4 納米生產(chǎn)計劃的推遲,原定用于今年資本支出的約 40 億美元可能會推遲到明年,從而導(dǎo)致資本支出減少,今年的支出低于 300 億美元(當(dāng)前約 2193 億元人民幣)。至于明年的資本支出,可能與今年持平。

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