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九峰山實驗室首批晶圓下線,實現(xiàn)高精密光柵芯片突破

摘要:九峰山實驗室工藝中心8寸中試線正式通線運行,首批晶圓(高精密光柵)成功下線。這也標(biāo)志著實驗室8寸0.15μm以上技術(shù)節(jié)點設(shè)備及工藝的全線打通,填補了國內(nèi)高線密度、超高折射率、非周期性高精密光柵生產(chǎn)工藝空白。

  ICC訊  2023年3月19日,九峰山實驗室工藝中心8寸中試線正式通線運行,首批晶圓(高精密光柵)成功下線。這也標(biāo)志著實驗室8寸0.15μm以上技術(shù)節(jié)點設(shè)備及工藝的全線打通,填補了國內(nèi)高線密度、超高折射率、非周期性高精密光柵生產(chǎn)工藝空白。

 引入鍵合工藝,首批晶圓提前下線

  自2022年11月首臺設(shè)備遷入以來,九峰山實驗室工藝平臺一直在緊鑼密鼓地進(jìn)行設(shè)備的遷入和調(diào)試。2023年3月,8寸線完成通線,并迎來第一批晶圓下線。

  與常規(guī)產(chǎn)品相比,高精密光柵最大工藝難點在于其玻璃襯底的特殊性:透明襯底導(dǎo)致機臺無法尋邊對中,對熱制程的敏感導(dǎo)致翹曲現(xiàn)象極易發(fā)生,機械性能差、易破易碎,背面潔凈度要求極高等。實驗室工藝中心團(tuán)隊在充分調(diào)研及大量驗證測試的基礎(chǔ)上,結(jié)合現(xiàn)有工藝設(shè)備能力,在兩周時間內(nèi)連續(xù)攻克了光刻曝光面內(nèi)不均勻、刻蝕不充分形貌坡度角大、薄膜膜層折射率低、襯底減薄邊緣碎片等十余項關(guān)鍵工藝問題,并大膽引入臨時鍵合工藝的技術(shù)方案,系統(tǒng)性解決了玻璃襯底在制程中的各項工藝問題,實現(xiàn)提前下線,也為此類產(chǎn)品良率的大幅提升開辟了新道路。

  本次8寸中試線的順利通線和第一批晶圓下線,標(biāo)志著九峰山實驗室工藝中心已經(jīng)初步具備8寸0.15μm以上技術(shù)節(jié)點設(shè)備及工藝流片能力,填補了國內(nèi)高線密度、超高折射率、非周期性高精密光柵生產(chǎn)工藝空白。

  進(jìn)入全面運營期,實驗室加速啟航

  2021年8月開工,2022年11月首臺設(shè)備正式搬入,2023年3月8寸中試線正式通線運行,在不到兩年時間內(nèi),九峰山實驗室高速完成建設(shè)期任務(wù),進(jìn)入全面運營期。


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關(guān)鍵字: 晶圓 芯片
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