ICC訊 在今年的研究院開(kāi)放日活動(dòng)上,英特爾提出了 “集成光電”,即將光互連 I/O 直接集成到服務(wù)器和封裝中,實(shí)現(xiàn) 1000 倍提升,同時(shí)降低成本。
英特爾首席工程師、英特爾研究院 PHY 研究實(shí)驗(yàn)室主任 James Jaussi 表示,之所以現(xiàn)在需要遷移到光互連 I/O,主要有兩個(gè)原因,一個(gè)是我們正在快速接近電氣性能的物理極限,一個(gè)是 I/O 功耗墻,會(huì)導(dǎo)致無(wú)法計(jì)算。
英特爾認(rèn)為集成光電要具備五大 “關(guān)鍵技術(shù)模塊”。在光調(diào)制方面,英特爾開(kāi)發(fā)了微型微射線調(diào)制器,它們體積縮小了 1000 倍,在服務(wù)器封裝里可以放置幾百個(gè)這樣的器件;第二個(gè)是在光探測(cè)領(lǐng)域,推出全硅光電探測(cè)器,可以降低成本;第三個(gè)是在光放大領(lǐng)域,推出集成半導(dǎo)體光學(xué)放大器,降低總功耗;最后通過(guò)協(xié)同集成,將 CMOS 電路和硅光子技術(shù)整合起來(lái)。
早在 2016 年,英特爾就推出了一款全新的硅光子產(chǎn)品 “100G PSM4”,這款產(chǎn)品結(jié)合了硅電子和光學(xué)技術(shù),能夠在獨(dú)立的硅芯片上實(shí)現(xiàn)近乎光速的數(shù)據(jù)傳輸,同時(shí)降低成本。英特爾已經(jīng)為客戶提供超過(guò) 400 萬(wàn)個(gè) 100G 的硅光子產(chǎn)品。