硅(Si)是一種在近紅外波段具有高折射率特性的材料。早在20世紀90年代,以硅為基礎(chǔ)的納米級波導(dǎo)就已經(jīng)以一種新型的納米光子器件,即硅光子器件的形式出現(xiàn)。由于其具有尺寸小,成本低,功耗低和高速化等性能以及兼容CMOS(complementary metal-oxide-semiconductor)制造的特性,硅光子技術(shù)近年來取得了顯著進步。并且隨著當前電信和數(shù)據(jù)通信網(wǎng)絡(luò)中流量的爆炸性增長,硅光子器件因其低功耗、寬帶寬、高傳輸速度等優(yōu)越性能而備受關(guān)注。
事實上,隨著包括平面光波電路(PLC),陣列波導(dǎo)光柵(AWG),光纖放大器(OFA),密集波分復(fù)用(DWDM),可重構(gòu)光分插復(fù)用(ROADM)和數(shù)字相干技術(shù)在內(nèi)的多項關(guān)鍵技術(shù)的發(fā)展,基于III-V族材料的光電集成電路在20世紀80年代就已被提出,但其并未能迅速實現(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用。
全光子器件集成工作是建立在硅光子學(xué)基礎(chǔ)之上的。近年來,硅光子學(xué)已廣泛用于電信和數(shù)據(jù)通信,包括數(shù)據(jù)中心和電信網(wǎng)絡(luò)中的緊湊型光學(xué)互連收發(fā)器和新型光子開關(guān)等。
圖1 光通信網(wǎng)絡(luò)的發(fā)展
研究亮點
日本筑波大學(xué)的Kiyoshi Asakawa教授等撰寫了綜述文章總結(jié)了硅光子學(xué)創(chuàng)新進展的歷史,為了方便包括科研機構(gòu)、公司企業(yè)的科學(xué)家、工程師以及高校學(xué)生在內(nèi)的廣大讀者理解,文章分為兩個部分,分別是硅光子平臺的基本特性簡介,及其在電信和數(shù)據(jù)通信兩類高級光子網(wǎng)絡(luò)中的應(yīng)用,從而讓讀者更加廣泛詳細地了解硅光子學(xué)器件的卓越性能及其在先進光子網(wǎng)絡(luò)中的應(yīng)用潛力。
綜述還涉及針對高級光子信號處理網(wǎng)絡(luò)的硅光子學(xué)特殊應(yīng)用,及其針對當前網(wǎng)絡(luò)需求(例如低功耗,寬帶寬和高傳輸速度)的解決方案。對希望挑戰(zhàn)相關(guān)問題并針對爆炸性增長的光子網(wǎng)絡(luò)流量提出實用解決方案的光子網(wǎng)絡(luò)工程師而言,該綜述將大有幫助。此外,論文不僅囊括了硅光子器件的特性和應(yīng)用,還兼述了CMOS兼容的納米制造技術(shù),以便為當前CMOS技術(shù)開辟新市場的納米電子CMOS工藝工程師提供參考。
圖2 50 Gb/s Si光子傳輸模塊。
(a)和(b)分別是波分復(fù)用傳輸器和接收器
這篇綜述以“Silicon photonics for telecom and data-com applications”為題,發(fā)表在英文期刊Opto-Electronic Advances 2020年第10期。