三安陳文欣：化合物半導(dǎo)體的5G相關(guān)應(yīng)用

  ICCSZ訊 IMT-2020(5G)峰會(huì)在深圳召開(kāi)，向國(guó)內(nèi)外業(yè)界集中發(fā)布我國(guó)最新5G研究和試驗(yàn)成果。三安集成電路有限公司資深總監(jiān)陳文欣做了主題為《化合物半導(dǎo)體的5G相關(guān)應(yīng)用》演講。

  以下為演講全文：

  很榮幸有這么個(gè)機(jī)會(huì)能夠加入到5G推進(jìn)的大家庭當(dāng)中，誠(chéng)如剛剛王院長(zhǎng)所說(shuō)的，其實(shí)我們今天在座的各個(gè)單位，如果說(shuō)解決的是5G從系統(tǒng)端到標(biāo)準(zhǔn)化的過(guò)程，三安解決的就是如主題二5G解決方案中芯片制造的環(huán)節(jié)。

  三安目前是國(guó)內(nèi)第一家做化合物半導(dǎo)體的大規(guī)模制造平臺(tái)，這是三安整體的芯片制造策略。在器件制造的環(huán)節(jié)當(dāng)中，從原材料的晶片上有足夠的自控能力。從LED芯片起家，目前是全世界產(chǎn)能規(guī)模最大的半導(dǎo)體廠(chǎng)商。從材料上看，從襯底的材料，藍(lán)寶石部分是用于功率級(jí)的碳化硅，襯底是用于很重要的在基站部分的射頻前端的氮化鎵的器件材料。對(duì)于砷化鎵，目前終端手機(jī)需要用到小功率的PA所需要的基礎(chǔ)材料。磷化銦是在5G商用時(shí)代所需頻點(diǎn)需要用到的材料。

  此外，三安在外延的部分擁有全系的化合物半導(dǎo)體主流制造工藝，我們擁有467 MOCD制造能力。在器件的制造端，我們有7個(gè)生產(chǎn)基地，2017年成立了廈門(mén)三安集成電路有限公司，這個(gè)公司主要會(huì)在化合物的射頻芯片、射頻前端，電力電子，以及供通信部分的應(yīng)用。三安使用了將近18年的時(shí)間，打通了化合物半導(dǎo)體制造平臺(tái)上游的環(huán)節(jié)，希望給友商和無(wú)線(xiàn)通信領(lǐng)域提供我們的貢獻(xiàn)。

  從全球的市占率來(lái)講，三安在中國(guó)大陸地區(qū)的市占率達(dá)到55%。全球三分天下，中國(guó)臺(tái)灣的廠(chǎng)商占1/3，大陸的廠(chǎng)商占1/3，另外的是一些歐美的廠(chǎng)商。由于在化合物領(lǐng)域的基礎(chǔ)，所以我們走進(jìn)了集成電路的行業(yè)。三安供電成立在2000年，目前已經(jīng)有6000多位以上的在職高級(jí)員工，目前鎖定的市場(chǎng)是在光通信，在IF前端的射頻，以及電力電子三大主營(yíng)業(yè)務(wù)板塊，目前在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域擁有數(shù)千件從芯片外延制造到全產(chǎn)業(yè)的主流專(zhuān)利積累。在這個(gè)領(lǐng)域，我們的知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域是國(guó)內(nèi)最領(lǐng)先的。

  我們目前利用全世界的優(yōu)秀人才，在全世界成立了五大研發(fā)中心，在美國(guó)洛杉磯、波士頓，這是在光通領(lǐng)域的研發(fā)中心，以及大功率照明的研發(fā)中心。在北歐有碳化硅襯底的制造和研發(fā)中心。在日本東京成立了射頻前端的濾波器的制造和研發(fā)中心。我們會(huì)把所有的力量集中放在大陸國(guó)內(nèi)，最大的研發(fā)中心位于廈門(mén)。

  這是三安集成電路在2014年成立的工廠(chǎng)，這個(gè)工廠(chǎng)目前投資30億人民幣，項(xiàng)目規(guī)模是在3萬(wàn)片英寸的化合物芯片，月產(chǎn)能30萬(wàn)片，目前已經(jīng)實(shí)現(xiàn)規(guī)?；闹圃旄慨a(chǎn)。

  三安化合物半導(dǎo)體提供給無(wú)線(xiàn)通信，5G產(chǎn)業(yè)的一些關(guān)鍵技術(shù)。HBT和PM的工藝，是三安主流量產(chǎn)的工藝，主要應(yīng)用于終端小功率的器件應(yīng)用。未來(lái)我們持續(xù)在往前演進(jìn)，會(huì)繼續(xù)開(kāi)發(fā)0.1微米的，目前已經(jīng)接近量產(chǎn)的兩個(gè)工藝，0.45的氮化鎵，還有0.25的氮化鎵基礎(chǔ)工藝，主要用于大功率的基站部分的應(yīng)用。這個(gè)領(lǐng)域是目前整個(gè)業(yè)界相對(duì)的短板，從材料制造到芯片工藝制成，三安不斷的推進(jìn)與國(guó)外競(jìng)爭(zhēng)廠(chǎng)商的步伐，很快會(huì)擁有自主可控的制造能力。未來(lái)，在2019年Q3完成基于磷化銦的射頻功放的應(yīng)用。

  早上鄔院長(zhǎng)提到，在5G應(yīng)用當(dāng)中，對(duì)于光通信的需求也是器件的核心需求，在2019年第三季會(huì)推出相應(yīng)的對(duì)25G赫茲長(zhǎng)波段的器件，用于未來(lái)的數(shù)據(jù)中心和骨干網(wǎng)接入的重要器件。

  接下來(lái)給大家介紹幾大板塊，在氮化鎵部分，三安會(huì)在晶圓制造和器件制造。對(duì)襯底材料的把握，到外延的生長(zhǎng)，到晶圓的制造，到后面是器件的封裝，以及可靠性測(cè)試，最后是用戶(hù)系統(tǒng)級(jí)的驗(yàn)證。三安在前端給大家提供成套以及定制化的服務(wù)。目前第一片6英寸的碳化硅機(jī)氮化鎵的射頻器件。

  三安在日本成立了關(guān)于濾波器的研發(fā)中心，未來(lái)會(huì)從Z和B的濾波器入手，給產(chǎn)業(yè)提供一站式射頻服務(wù)，提供濾波器解決方案。光通信，三安在5G應(yīng)用部分，我們對(duì)未來(lái)的感知，對(duì)物聯(lián)網(wǎng)帶來(lái)的新時(shí)代的到來(lái)，我們布局了關(guān)于光通信領(lǐng)域制造平臺(tái)的打造和能力。我們?cè)?D成像芯片的技術(shù)上做了充分的布局，我們提供從短波段到中長(zhǎng)波段，光通信、數(shù)據(jù)中心的FD、BFD，未來(lái)還會(huì)提供用于前端接收的100G的解決方案。三安打造全波段、全光譜的制造能力。

  對(duì)于未來(lái)的5G，我們希望盡快的在5G商用到來(lái)之前，把我們自己的技術(shù)與器件，在在座的每個(gè)客戶(hù)端得到充分的認(rèn)可和驗(yàn)證。三安在整個(gè)規(guī)?；圃焐系牟季?，對(duì)于三安平臺(tái)來(lái)講，我們的價(jià)值就是在規(guī)?；圃?。在未來(lái)福建的南安我們規(guī)劃了新的工業(yè)量產(chǎn)級(jí)的項(xiàng)目，這個(gè)項(xiàng)目投資額會(huì)達(dá)到52億美金，項(xiàng)目以2017年12月份啟動(dòng)，目前正在大規(guī)模的建設(shè)當(dāng)中。主要是在以下的幾大領(lǐng)域，果斷LET升華甲基、氮化鎵機(jī)的芯片，濾波器產(chǎn)業(yè)化的制造基地，高功率的類(lèi)色制造，高功率的化合物便利電子，高端的產(chǎn)業(yè)封裝。整個(gè)產(chǎn)業(yè)制造是三安打造的完整產(chǎn)業(yè)鏈布局。

  三安可以提供從短波段的3D所需要的器件，以及到長(zhǎng)波段需要的光通信的器件接口的芯片。從LED的應(yīng)用，再到功率型的化合物半導(dǎo)體在射頻前端，以及射頻氮化鎵應(yīng)用的整套解決方案。希望給在座的友商提供整套的5G布局解決方案。