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英特爾利用硅開發(fā)出40Gbps光調(diào)制器 用于板卡間通信

訊石光通訊網(wǎng)   發(fā)布時間:2007/8/1 9:19:07   編者:ICCSZ    
摘要： 　　【日經(jīng)BP社報道】美國英特爾宣布，利用硅開發(fā)出了40Gbps的超高速的光調(diào)制器。該公司曾于2005年5月利用硅開發(fā)出了10Gbps的光調(diào)制器。今后，該公司還計(jì)劃將25個40Gbps
 
　　【日經(jīng)BP社報道】美國英特爾宣布，利用硅開發(fā)出了40Gbps的超高速的光調(diào)制器。該公司曾于2005年5月利用硅開發(fā)出了10Gbps的光調(diào)制器。今后，該公司還計(jì)劃將25個40Gbps光調(diào)制器集成在一枚芯片上，實(shí)現(xiàn)1Tbps的傳輸容量，以用于超級計(jì)算機(jī)的板卡間通信等。
 
　　英特爾開發(fā)的是馬赫—曾德爾(Mach-Zehnder)干涉儀（MZI）型的光調(diào)制器。通過使分為2條的光信號中的一條的相位延遲180度等，將再次合成后的振幅調(diào)制為1或0。相位的控制利用了折射率隨硅材料中的載波密度而改變的原理，與此前的普通光調(diào)制器采用的原理不同，此前采用的是名為“泡克耳斯效應(yīng)”的基于LiNbO3及GaAs等化合物的光電效應(yīng)。
 
　　新產(chǎn)品為MZI型，這與該公司05年發(fā)布的10Gbps光調(diào)制器相同，不過此次“通過調(diào)整行波電極的設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了40Gbps的調(diào)制”（英特爾）。行波電極是在光和高頻電信號前進(jìn)的方向上，根據(jù)相位在一定距離設(shè)置的相互作用電極。其特點(diǎn)是調(diào)制效率高，易于實(shí)現(xiàn)高速化及低壓驅(qū)動。
 
　　英特爾已經(jīng)將采用上述光調(diào)制器實(shí)現(xiàn)的30Gbps調(diào)制成果發(fā)表在了2007年1月22日的光通信技術(shù)學(xué)術(shù)雜志《Optics Express》上。并在2007年7月8～11日于美國猶他州舉行的國際會議“Integrated Photonics and Nanophotonics Research and Applications”上，宣布傳輸速度達(dá)到了40Gbps。
 
　　上述研究為英特爾與NEC推進(jìn)的硅光子技術(shù)的一環(huán)（參閱本站報道）。 英特爾計(jì)劃將25個此次開發(fā)的調(diào)制器集成在一枚芯片上，采用波分復(fù)用，確保1Tbps的傳輸容量。關(guān)于此次成果的利用方式，NEC的目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)配備光收發(fā)器的芯片之間的信號傳輸，而英特爾則考慮在芯片間采用銅（Cu）等金屬布線的板卡的信號傳輸方面采用這種芯片。（記者：野澤 哲生）
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