ICCSZ訊 SiFotonics Technologies宣布其硅光PD/APD芯片相關產(chǎn)品已經(jīng)過市場檢驗逐漸走向成熟,將借助硅光子技術(shù)顯著的成本優(yōu)勢全面進入傳統(tǒng)光器件市場。
時機成熟
經(jīng)過近十年的努力和積累、數(shù)代產(chǎn)品的更迭,SiFotonics的鍺硅PD/APD芯片已在性能、量產(chǎn)能力、可靠性等方面得到足夠的市場檢驗,目前各類產(chǎn)品已累計出貨近100萬顆,全面進軍市場的時機已經(jīng)成熟。
高性價比
SiFotonics利用世界領先的硅光技術(shù),由一流CMOS工廠代工生產(chǎn)8英寸PD/APD晶圓。借助硅光技術(shù)固有的成本優(yōu)勢,SiFotonics能夠給出比同類產(chǎn)品更低的價格,以幫助客戶降低成本。
SiFotonics’ 8 inch Ge/Si APD wafer mass-produced in standard CMOS foundry
“這并不是價格戰(zhàn),”SiFotonics CEO潘棟博士說,“硅光是一種顛覆性技術(shù),相對的低成本是必然的結(jié)果之一。我們的芯片得到了國內(nèi)外眾多廠商的支持和反復驗證,目前各方面已經(jīng)成熟,現(xiàn)在正是我們用高性價比的產(chǎn)品回饋市場的最佳時機。相比傳統(tǒng)的單通道器件,我們能保證至少20%的價格優(yōu)勢,當然,只要量夠大,還可以有更大空間。”
“很多時候, 硅光產(chǎn)品又好又便宜,”潘棟博士補充道,“ 例如我們的10G APD已被眾多客戶證實在很多應用場景下表現(xiàn)比傳統(tǒng)III-V器件好。比如基于我們的10G 1550nm APD芯片的ROSA產(chǎn)品,靈敏度平均值達到-28.5dBm,已明顯超過傳統(tǒng)器件。”
此外,硅基技術(shù)還帶來另一個潛在優(yōu)勢:非氣密封裝——這種低成本封裝形式將有可能帶來超過芯片本身的更為誘人的成本削減。目前SiFotonics 與多家客戶合作開發(fā)非氣密封裝的光器件,經(jīng)過驗證其可靠性完全滿足要求。
著眼未來
鍺硅APD的性能優(yōu)勢在更高速率下更加明顯,SiFotonics近期推出的25G APD芯片及TO-Can性能已做到業(yè)界最高,此產(chǎn)品將有望推動100G-PON標準的建立和100G光纖接入技術(shù)的更快實現(xiàn)。
立足于硅光子技術(shù),SiFotonics已有能力提供2.5G到25G全速率、全波段的PD/APD解決方案,這也使得客戶有機會制定更全面、更具持續(xù)性的技術(shù)路線。
“這僅僅是個開始,”潘棟博士表示,“提供高性價比的分立器件只是我們技術(shù)路線的第一步,我們的高集成化硅光芯片已進入客戶評估階段。很快,市場會感受到更為強勁的硅光集成芯片的沖擊。”
SiFotonics Technologies致力于成為硅光子器件與集成技術(shù)的開創(chuàng)者與領導者,為客戶提供下一代高速光電集成解決方案。SiFotonics成立于2006年底,由一批業(yè)界中極具長遠目光的投資人投資,創(chuàng)始人與技術(shù)骨干來自于MIT、清華大學等國內(nèi)外一流高校,與世界一流半導體制造廠商合作, 埋頭開發(fā)硅光子芯片產(chǎn)線及產(chǎn)品近十年, 現(xiàn)已向市場全面推出全速率、全波段PD/APD成熟產(chǎn)品,并逐漸走向集成化。
Contact: sales@sifotonics.com