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傳聯(lián)發(fā)科被要求引領(lǐng)臺(tái)灣地區(qū)毫米波5G芯片供應(yīng)鏈

摘要:中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)RF和PA設(shè)備制造商希望聯(lián)發(fā)科能夠引領(lǐng)當(dāng)?shù)毓?yīng)鏈,以應(yīng)對(duì)高通在開(kāi)拓毫米波5G市場(chǎng)方面的競(jìng)爭(zhēng)。

 ICC訊  據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露,中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)RF和PA設(shè)備制造商希望聯(lián)發(fā)科能夠引領(lǐng)當(dāng)?shù)毓?yīng)鏈,以應(yīng)對(duì)高通在開(kāi)拓毫米波5G市場(chǎng)方面的競(jìng)爭(zhēng)。

  digitimes報(bào)道指出,消息人士稱,高通目前主要使用硅基CMOS在12英寸晶圓廠生產(chǎn)毫米波5G PA產(chǎn)品,并提供全面的5G核心芯片和多種芯片解決方案。但高通向網(wǎng)絡(luò)供應(yīng)鏈供應(yīng)商收取特許權(quán)使用費(fèi),使得他們的生產(chǎn)成本保持在相對(duì)較高的水平。

  “因此,尋求進(jìn)入毫米波5G市場(chǎng)的臺(tái)灣地區(qū)化合物半導(dǎo)體制造商預(yù)計(jì)聯(lián)發(fā)科將推出更多具有高性價(jià)比的芯片產(chǎn)品,用于小基站和CPE設(shè)備?!毕⑷耸空f(shuō)道。

  消息人士指出,第二代半導(dǎo)體GaAs和InP或第三代GaN-on-SiC制作的毫米波5G PA優(yōu)于硅基CMOS制作的產(chǎn)品,并且可以集成到用于移動(dòng)設(shè)備和5G小電池的射頻模塊中。

  事實(shí)上,鑒于聯(lián)發(fā)科子公司Vanchip Technologies在 4G PA 和 Wi-Fi 5/6 PA 領(lǐng)域表現(xiàn)良好,聯(lián)發(fā)科也在積極擴(kuò)大其在5G PA市場(chǎng)的影響力。消息人士稱,聯(lián)發(fā)科此舉與當(dāng)?shù)鼗衔锇雽?dǎo)體制造商的預(yù)期不謀而合,該公司可以利用其在5G核心芯片解決方案方面的實(shí)力,幫助他們進(jìn)軍毫米波5G市場(chǎng)。

  另外,消息人士指出,聯(lián)發(fā)科正與GaAs代工廠穩(wěn)懋保持密切合作,為手機(jī)、CPE設(shè)備和基站相關(guān)應(yīng)用開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)芯片解決方案。

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