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Intel芯片欲提升30% 5年內(nèi)趕超臺(tái)積電！

訊石光通訊網(wǎng)   發(fā)布時(shí)間:2021/12/28 15:39:15  編者:鼻涕泡泡崩一臉
摘要：Intel今年在3月份就已經(jīng)宣布IDM 2.0戰(zhàn)略，芯片擴(kuò)產(chǎn)已經(jīng)迫在眉睫，據(jù)悉該計(jì)劃將在美國(guó)、歐洲、亞洲等地區(qū)建廠(chǎng)，以此來(lái)提升自己的產(chǎn)能目標(biāo)。

      ICC訊 Intel今年在3月份就已經(jīng)宣布IDM 2.0戰(zhàn)略，芯片擴(kuò)產(chǎn)已經(jīng)迫在眉睫，據(jù)悉該計(jì)劃將在美國(guó)、歐洲、亞洲等地區(qū)建廠(chǎng)，以此來(lái)提升自己的產(chǎn)能目標(biāo)。

      業(yè)內(nèi)資深人士預(yù)估，Intel此番大舉擴(kuò)張，預(yù)計(jì)在5年內(nèi)，也就是2026年的時(shí)候產(chǎn)能將增長(zhǎng)30%以上，有望追趕臺(tái)積電。

內(nèi)容來(lái)自：中關(guān)村在線(xiàn)
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關(guān)鍵字: Intel 芯片 臺(tái)積電
文章標(biāo)題:Intel芯片欲提升30% 5年內(nèi)趕超臺(tái)積電！
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