ICC訊(編譯:Nina)2020年8月12日--化合物半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者II-VI Incorporated(納斯達(dá)克:IIVI)今天宣布,它已達(dá)成一項(xiàng)最終協(xié)議,收購(gòu)碳化硅SiC外延晶片和電力電子器件領(lǐng)導(dǎo)者Ascatron AB的所有已發(fā)行股份。II-VI還宣布,它將收購(gòu)用于硅和化合物半導(dǎo)體器件的離子注入技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者INNOViON Corporation。兩項(xiàng)交易均計(jì)劃在2020日歷年完成。
Ascatron生產(chǎn)最先進(jìn)的SiC外延晶片和器件,支持各種高壓電力電子應(yīng)用。Ascatron由寬帶隙材料專家團(tuán)隊(duì)領(lǐng)導(dǎo),他們?cè)赟iC和半導(dǎo)體行業(yè)中擁有200余人年(person-years)的經(jīng)驗(yàn),為SiC開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)工藝帶來(lái)世界一流的競(jìng)爭(zhēng)力。
INNOViON是世界上最大的離子注入服務(wù)提供商,在全球范圍內(nèi)擁有30臺(tái)注入器,支持最大300毫米晶圓的半導(dǎo)體材料處理方面的獨(dú)特功能。INNOViON的工藝能夠摻雜各種半導(dǎo)體材料,包括碳化硅、砷化鎵、磷化銦和硅,以生產(chǎn)先進(jìn)的器件。
II-VI首席執(zhí)行官Vincent D.(Chuck) Mattera Jr.博士表示:“Ascatron和INNOViON的技術(shù)平臺(tái)都是同類產(chǎn)品中最好的,并且是對(duì)我們市場(chǎng)領(lǐng)先的SiC襯底、我們?cè)谌虻拇笠?guī)模晶圓制造工廠,以及我們最近從GE公司獲得許可的SiC器件技術(shù)的完美補(bǔ)充。我們將繼續(xù)使用先進(jìn)的材料和組件為現(xiàn)有客戶提供服務(wù),同時(shí)我們將結(jié)合這些功能,打造世界上最先進(jìn)的內(nèi)部垂直集成的150nm SiC技術(shù)平臺(tái)之一?!?
作為其垂直整合戰(zhàn)略的一部分,II-VI正利用其廣泛的工程材料和光電器件技術(shù)以及其在全球的制造能力,通過(guò)開(kāi)發(fā)高性能化合物半導(dǎo)體器件,來(lái)擴(kuò)大規(guī)模和實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新。