臺(tái)當(dāng)局：尚未收到臺(tái)積電400億美元投資美國(guó)的申請(qǐng)

  ICC訊  臺(tái)積電亞利桑那州將建第二座工廠，兩座晶圓廠預(yù)計(jì)年產(chǎn)能超過60萬片。據(jù)悉，中國(guó)臺(tái)灣官員稱，臺(tái)當(dāng)局尚未收到臺(tái)積電亞利桑那州投資增加到400億美元的申請(qǐng)。

  據(jù)悉，臺(tái)積電亞利桑那州的第一個(gè)晶圓廠計(jì)劃于2024年開始生產(chǎn)4nm工藝技術(shù)，第二個(gè)晶圓廠計(jì)劃于2026年開始生產(chǎn)3nm工藝技術(shù)。這兩個(gè)晶圓廠的總投資約為400億美元，這是亞利桑那州歷史上最大的外國(guó)直接投資，也是美國(guó)歷史上最大外國(guó)直接投資之一。

  當(dāng)即，臺(tái)當(dāng)局回應(yīng)，一旦收到臺(tái)積電的申請(qǐng)，將通過相關(guān)程序啟動(dòng)審查程序。據(jù)消息人士透露，相關(guān)審查程序很可能是指《中國(guó)臺(tái)灣安全法》，該法禁止將中國(guó)臺(tái)灣的關(guān)鍵技術(shù)泄露給中國(guó)臺(tái)灣以外的地區(qū)或國(guó)家，以確保中國(guó)臺(tái)灣的安全、產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力或經(jīng)濟(jì)發(fā)展。

  然而，包括臺(tái)“經(jīng)濟(jì)部”、臺(tái)科學(xué)技術(shù)中心部在內(nèi)的一些官員駁斥了市場(chǎng)猜測(cè)，即臺(tái)積電在美國(guó)的投資將導(dǎo)致國(guó)家核心技術(shù)的泄漏。

  此外，根據(jù)臺(tái)“經(jīng)濟(jì)部”投資委員會(huì)的官員的說法，任何中國(guó)臺(tái)灣公司都需要獲得批準(zhǔn)才能進(jìn)行超過5000萬美元的海外投資。這位官員強(qiáng)調(diào)，臺(tái)積電在美國(guó)的投資經(jīng)過了同樣的法律合規(guī)程序。