AXT向主要客戶提供首批8英寸GaAs晶圓

  化合物半導(dǎo)體襯底制造商AXT已開發(fā)出其首批8英寸GaAs襯底并將其給了主要客戶。這些8英寸GaAs襯底是摻硅n型襯底，具有低腐蝕坑密度(EPD)和低水平滑移線。

摻硅n型襯底表現(xiàn)出低腐蝕坑密度(EPD)和低水平滑移線

  “這是AXT的一項重大成就和重要里程碑，”首席執(zhí)行官Morris Young說，“直徑大小的每一步提升都伴隨著生產(chǎn)技術(shù)挑戰(zhàn)的大幅增加。但是，AXT一直是該領(lǐng)域的先驅(qū)，以企業(yè)家精神來推動創(chuàng)新，以釋放新應(yīng)用的潛力。此外，我們第一批晶圓的材料質(zhì)量證明了我們對品質(zhì)卓越的承諾和我們VGF晶體生長工藝的差異化。我們很高興能夠在擴展性、低應(yīng)力和低缺陷率方面為我們的客戶提供有意義的優(yōu)勢。”

  由于大批量應(yīng)用的市場發(fā)展，許多客戶對AXT表示了濃厚興趣，這些應(yīng)用包括用于3D傳感器和LiDAR的VCSEL，以及用于顯示器的microLED。AXT預(yù)測，當這些應(yīng)用被采用后，對8英寸GaAs晶圓的需求范圍將會擴展。

  Young接著表示：“盡管我們在這個項目上仍有開發(fā)工作要做，但我們在定興和喀左新建的世界一流的生產(chǎn)設(shè)施可以使8英寸砷化鎵晶圓具有商業(yè)可行性。AXT的兩個新設(shè)施都是專門為大批量制造化合物半導(dǎo)體襯底而設(shè)計和建造的，使用了先進的設(shè)備和改進的自動化。此外，在設(shè)計新設(shè)施時還考慮到了制造量的擴大，我們相信我們有一條開發(fā)和推出8英寸砷化鎵襯底大批量生產(chǎn)線的捷徑。"