聯(lián)電搶攻8英寸第三代半導體，新機臺預計下半年進駐廠區(qū)

  ICC訊  5月9日，據(jù)臺媒《經(jīng)濟日報》報道，聯(lián)電晶圓代工成熟制程訂單充裕，毛利率沖高之際，布局當紅的第三代半導體也再進化，主攻難度更高、經(jīng)濟效益更好的8英寸晶圓第三代半導體制造領域，近期大舉購置新機臺擴產(chǎn)，預計下半年進駐廠區(qū)。

  圖源：經(jīng)濟日報

  報道稱，法人指出，“聯(lián)家軍”出身的大將已在中國臺灣地區(qū)第三代半導體搶下一片天。例如聯(lián)電前資深副總經(jīng)理徐建華退休后，轉(zhuǎn)戰(zhàn)漢磊投控，出任漢磊投控旗下漢磊與嘉晶兩家公司董事長，并成功帶領漢磊與嘉晶量產(chǎn)第三代半導體產(chǎn)品。

  另外，聯(lián)電此前第三代半導體布局，主要透過轉(zhuǎn)投資聯(lián)穎切入，鎖定6英寸氮化鎵產(chǎn)品，主要考量目前業(yè)界氮化鎵整體解決方案提供者較少。目前，聯(lián)穎正在進行技術(shù)平臺建置，完成后會把平臺開放給設計公司客戶使用，擴大接單利益基礎。

  供應鏈則透露，聯(lián)電近期擴大第三代半導體布局，自行購置蝕刻、薄膜新機臺，預計下半年將進駐8英寸AB廠，瞄準8英寸晶圓生產(chǎn)第三代半導體的經(jīng)濟效益優(yōu)于6英寸晶圓的方向，全力搶第三代半導體商機。對此，聯(lián)電財務長劉啟東回應，集團在第三代半導體的發(fā)展上，仍以聯(lián)穎為主，聯(lián)電則進行研發(fā)，不過確實有在合作，但細節(jié)不便透露。

  業(yè)界分析，第三代半導體薄膜厚度比一般晶圓代工還厚，很容易導致晶圓彎曲，鑒于制程難度，目前業(yè)界發(fā)展第三代半導體多以6英寸為主。不過，6英寸晶圓半徑是5公分，8英寸晶圓半徑則是10公分，所以8英寸相對6英寸，一片可以產(chǎn)出的芯片量會“多出很多”，在經(jīng)濟效益較高的前提下，聯(lián)電選擇切入8英寸第三代半導體領域。