ICC訊 上周一,三星電子和 SK 海力士等韓國(guó)公司獲得美國(guó)政府無(wú)限期豁免,其中國(guó)工廠無(wú)需特別許可即可進(jìn)口美國(guó)芯片設(shè)備。
對(duì)于三星來(lái)說(shuō)這無(wú)疑是一個(gè)好消息,而且他們?cè)谌〉没砻夂笠泊_實(shí)在采取相應(yīng)措施。據(jù) Business Korea 報(bào)道,三星電子高層已決定將其西安 NAND 閃存工廠升級(jí)到 236 層 NAND 工藝,并已開(kāi)始大規(guī)模擴(kuò)張。
消息人士稱(chēng),三星已開(kāi)始采購(gòu)最新的半導(dǎo)體設(shè)備,新設(shè)備預(yù)計(jì)將在 2023 年底交付,并于 2024 年在西安工廠陸續(xù)引進(jìn)可生產(chǎn)第 8 代 NAND 的設(shè)備,這也被業(yè)界視為克服全球 NAND 需求疲軟導(dǎo)致產(chǎn)能下降的戰(zhàn)略步驟。
公開(kāi)資料顯示,三星(中國(guó))半導(dǎo)體有限公司 2012 年落戶(hù)西安高新區(qū),而三星半導(dǎo)體西安工廠是該公司唯一的海外存儲(chǔ)器半導(dǎo)體生產(chǎn)基地。
該工廠于 2020 年增設(shè)了第二期工廠項(xiàng)目,目前已發(fā)展成為全球最大的 NAND 制造基地,每月可生產(chǎn) 20 萬(wàn)片 12 英寸晶圓,這占據(jù)了三星 NAND 總產(chǎn)量的 40% 以上。
三星西安工廠第一工廠投資 108.7 億美元,2017 年開(kāi)始建造的第二工廠,先后投資了 150 億美元。