ICCSZ訊(編輯:Aiur) 近日,我國硅光子技術創(chuàng)新企業(yè)南通賽勒光電科技有限公司(簡稱賽勒光電)宣布加入訊石會員,攜手訊石光通訊會員及產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)共同發(fā)展進步。賽勒光電總經(jīng)理是我國著名的硅光子領域科學家甘甫烷博士,甘博士在9月3日開幕的訊石第十七屆光纖通訊市場暨技術專題研討會上發(fā)表了《硅基集成激光器的挑戰(zhàn)與機遇》報告。
賽勒光電創(chuàng)業(yè)團隊包括美國著名的創(chuàng)投家、海歸博士以及國內外優(yōu)秀的技術和市場人員,國際化的團隊希望打造一個立足中國、具有自主知識產(chǎn)權、世界一流的高端光模塊公司。賽勒光電專注于25G/50G/100G/200G/400G高端光通訊收發(fā)模塊的開發(fā)、制造和技術支持,重點開發(fā)基于硅光子技術的高速率、小型化、低成本、低功耗的高速光模塊,為數(shù)據(jù)中心、無線網(wǎng)絡、數(shù)據(jù)通信、傳送網(wǎng)等領域客戶提供高性價比的光通信模塊解決方案。
總經(jīng)理甘甫烷博士表示賽勒光電是領先的國家隊平臺、優(yōu)秀的國際化團隊和富有遠見的風險投資共同孵化的硅光子公司,致力于“超越摩爾”技術和物聯(lián)網(wǎng)的創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化。
總所周知,硅無法作為發(fā)光材料,硅襯底集成光源是最大難題。關于硅基激光器的困難,甘博士表示硅基拉曼等效益效率低,無法實現(xiàn)電至發(fā)光,Ge激光器需要高溫和特俗的技術實現(xiàn)直接帶隙,也無法實現(xiàn)電致發(fā)光。而混合集成激光器,F(xiàn)lip-chip方案對準精度要求高,集成度卻比較低,異質外延生長對材料性能要求低,卻需要高溫工藝,而異質鍵合方案目前更加完善,是比較理想的方案。
甘博士還介紹了賽勒光電的硅基激光進展,闡述異質鍵合硅基片上激光器結構、混合激光器諧振腔結構設計、鍵合工藝和制作諧振腔等工藝流程。
隨著移動互聯(lián)的普及,帶寬需求的爆炸式發(fā)展,硅光子技術的運用前景為業(yè)界一致看好,越來越成為產(chǎn)業(yè)界重要方向。賽勒光電依托中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所雄厚的研發(fā)力量、獨一無二的人才優(yōu)勢和技術能力,長期聚焦硅光子技術的產(chǎn)業(yè)化,在全產(chǎn)業(yè)鏈具有深厚的積累,是國內最先進的硅光芯片供應商。
公司的核心優(yōu)勢包括獨特的光芯片設計、先進的封裝技術以及具有核心競爭力的工藝能力,并匯聚頂尖硅光技術人才。賽勒光電以深厚的硅光子技術做為起始點,在高速光通訊領域里翩然起航。
甘甫烷博士
他于美國麻省理工學院電子工程系獲得博士學位,中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所信息功能材料國家重點實驗室研究員、博士生導師。他專注于硅光子學的基礎與技術研究,致力于研究基于硅材料的波導器件、光電器件、材料、大規(guī)模光電集成電路技術,以及基于硅光子學的高性能CPU和高速網(wǎng)絡光互連技術。他在Nature Communications, Physical Review Letters, Nano Letters,Journal of Lightwave Technology等刊物上發(fā)表論文60余篇,申請國內外專利40余件。硅基片上光操控的相關成果被美國物理學會及英國物理學會做了專題報道,并被《激光與光電子進展》雜志評為“2011年中國光學重要成果”。甘甫烷博士帶領團隊建立了與集成電路工藝兼容的完整核心器件庫,單片集成了微波整形功能,該成果發(fā)表于Nature Communications。