HiLight宣布自有的激光自動消光比控制技術獲得美國專利

  ICCSZ訊 HiLight Semiconductor宣布獲得一項美國專利，專利涵蓋光纖到戶(FTTH)應用中激光發(fā)射器的自動控制技術。HiLight聲稱該專利在提高設備可靠性的同時可顯著降低光網(wǎng)絡單元(ONU)用戶盒的制造和開發(fā)成本。

  美國專利號10,205,532涵蓋HiLight自研的自動消光比控制系統(tǒng)技術，即所謂的“雙環(huán)”發(fā)射器控制反饋環(huán)路，專門為成本敏感且量大的FTTH光通信市場設計。HiLight預計在其他司法管轄區(qū)例如中國和日本也將獲得該專利的批準。

  本專利是行業(yè)的一個重大突破，其在全溫下能穩(wěn)定地自動且準確控制發(fā)射器輸出功率和光調(diào)制幅度。HiLight已把此專利應用于該公司在10G-PON市場的”Combo”IC芯片，HiLight的HLC10P0對稱收發(fā)器芯片和HLC10P1非對稱收發(fā)器芯片可簡化發(fā)射器激光器的設置和控制，芯片應用于光收發(fā)器模塊或者可直接置于BOSA-on-Board ONU電路板上。這項技術在加快產(chǎn)出的同時還可有效地延長激光器壽命，因為激光老化可自適應無需在廠高溫設置，故此也減少了出廠后發(fā)射器的故障率。

  雖然HLC10P0/1專為10G-PON應用而設計，但HiLight的專利及技術既可用于更低數(shù)據(jù)速率也可用于更高數(shù)據(jù)速率的下一代PON。

  HiLight半導體公司還擁有用于光通信物理層(PMD和PHY)芯片相關的各種專利，其中包括應用于高靈敏度跨阻抗放大器(STIA)設計上的若干專利，其在取代FTTH ONU接收器中的雪崩光電二極管(APD)發(fā)揮重要作用。

  HiLight將在2019年3月圣地亞哥OFC展會上展示其CMOS產(chǎn)品系列。HiLight OFC會議室6609。

  關于HiLight Semiconductor Limited:

  HiLight半導體是一家風投機構投資的芯片設計公司，2012年由有豐富初創(chuàng)企業(yè)經(jīng)驗的人員所創(chuàng)立。專注于幾十納米級CMOS工藝并提供用于高速光纖通信和網(wǎng)絡/數(shù)據(jù)中心應用的高性能的PMD和PHY 芯片。

  目前為止，HiLight已經(jīng)向PON、數(shù)據(jù)中心和網(wǎng)絡市場銷售了約7000萬個芯片。

  HiLight的總部位于英國南安普敦，在英國布里斯托爾設有設計中心，并在中國大陸(深圳，武漢)、臺灣和日本設有銷售以及技術支持辦事處。