聯(lián)合微電子中心發(fā)布國內首個自主開發(fā)180nm全套硅光工藝PDK

  ICC訊 2020年5月30日，聯(lián)合微電子中心(CUMEC)在重慶向全球隆重發(fā)布“180nm全套硅光工藝PDK(process design kit)”。180nm 全套硅光工藝PDK的發(fā)布標志著聯(lián)合微電子中心具備硅基光電子領域全流程自主工藝能力，并正式開始向全球提供硅光芯片流片服務。

  硅光芯片是將硅光材料和器件通過特殊工藝制造的集成電路，主要由光源、調制器、探測器、無源波導器件等組成，將多種光器件集成在同一硅基襯底上。硅光芯片的具有集成度高、成本低、傳輸帶寬更高等特點，因為硅光芯片以硅作為集成芯片的襯底，所以能集成更多的光器件;在光模塊里面，光芯片的成本非常高，但隨著大規(guī)模生產的實現(xiàn)，硅光芯片的低成本成了巨大優(yōu)勢;硅波導的傳輸性能好，因為硅光材料折射率差更大，可以實現(xiàn)高密度的波導和同等面積下更高的傳輸帶寬。

  近幾年，硅光芯片被廣為提及，從概念到產品，它的發(fā)展速度讓人驚嘆。硅光芯片有著非?？捎^的前景，尤其是在5G商用來臨之際，企業(yè)紛紛加大投入，搶占市場先機。包括英特爾、比利時IMEC、新加坡AMF、格芯半導體等都具備了硅光芯片的研發(fā)和制造能力。

  聯(lián)合微電子中心成立于2018年10月，是中國電科和重慶市共同打造的微電子技術協(xié)同創(chuàng)新平臺，致力于解決國家微電子行業(yè)及其未來產業(yè)高端發(fā)展需求，走超越摩爾定律的技術路線，打造集硅基光電子、異質異構三維集成、鍺硅射頻等工藝、技術和產品為一體的光電融合高端特色工藝平臺。

  聯(lián)合微電子中心8英寸生產線從2019年6月搬入首臺設備，到2020年5月發(fā)布國內首個自主研發(fā)的180nm全套硅光工藝PDK，時間不足一年，首批發(fā)布的PDK器件水平優(yōu)秀，表明聯(lián)合微電子中心的研發(fā)能力和工藝水平達到國際先進水平。值得慶賀的是，聯(lián)合微電子中心的8英寸生產線部分設備采用了來自電科裝備(爍科)、北方華創(chuàng)的設備作為基線(BASELINE)設備。

  聯(lián)合微電子中心此次發(fā)布的是PDK命名為CSIP180AL，其中C代表聯(lián)合微電子(CUMEC)，SIP代表硅光子(Silicon Photonics)，180代表180納米工藝節(jié)點，AL代表鋁互連(Aluminum interconnect)。預計2021年5月發(fā)布基于銅互連的PDK2.0。

  據(jù)工藝負責人表示，此次發(fā)布的PDK主要針對高性能通信(High Speed Communication)、激光雷達(LiDAR)和人工智能(AI)?；诼?lián)合微電子的制造技術和設計IP，能夠實現(xiàn)高速光收發(fā)芯片、激光雷達芯片等產品批量生產，可以廣泛用于5G和數(shù)據(jù)中心、無人駕駛和機器人等場合。

  聯(lián)合微電子中心可為客戶提供標準工藝和客制化工藝，客制化工藝包括客制化流程、客制化模塊和先進的庫資源。

  工藝負責人表示，公司從現(xiàn)在開始為全球客戶提供MPW服務，交貨周期為120天。筆者還了解到，為了解決硅光芯片封裝難題，聯(lián)合微電子中心建立了國內首個全流程的硅光芯片封裝測試平臺，實現(xiàn)了高密度光纖陣列與硅光芯片的耦合封裝等技術，在業(yè)內率先發(fā)布《硅基光電子芯片封裝規(guī)則》，為硅基光電子芯片大規(guī)模生產和產業(yè)化掃清一大技術障礙。

  有關聯(lián)合微電子中心的硅光芯片MPW時間表請訪問http://www.cumec.cn/。聯(lián)合微電子中心竭誠為國內外相關合作伙伴提供服務。