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中興新地PLC光芯片實現(xiàn)重大產(chǎn)業(yè)突破

摘要:從2007年開始,隨著XPON技術(shù)的走向成熟,中國開始了光纖最后一公里的建設(shè)之路,歷經(jīng)FTTC/FTTB的技術(shù)過渡,2012年,中國發(fā)布了《GB 50846-2012 住宅區(qū)和住宅建筑內(nèi)光纖到戶通信設(shè)施工程設(shè)計規(guī)范》的新的國家標準,光纖到戶(FTTH)已經(jīng)成為建筑樓宇必配的通信基礎(chǔ)設(shè)施,以PLC光分路器為主要應(yīng)用的FTTH模式迎來了大規(guī)模的建設(shè)高潮,而PLC光芯片作為光分路器的核心功能器件,是影響光分路器技術(shù)指標和成本的重要因素,突破PLC光芯片的制造工藝難關(guān),不僅對我國的FTTH進程有著重要影響,而且對提升中國的產(chǎn)業(yè)技術(shù)水平,進而成為全球光分路器的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)制造基地,都具有重要的現(xiàn)實意義。

中興新地離子交換PLC光芯片成功產(chǎn)業(yè)化 

 一、PLC光芯片應(yīng)用的現(xiàn)實意義

  從2007年開始,隨著XPON技術(shù)的走向成熟,中國開始了光纖最后一公里的建設(shè)之路,歷經(jīng)FTTC/FTTB的技術(shù)過渡,2012年,中國發(fā)布了《GB 50846-2012 住宅區(qū)和住宅建筑內(nèi)光纖到戶通信設(shè)施工程設(shè)計規(guī)范》的新的國家標準,光纖到戶(FTTH)已經(jīng)成為建筑樓宇必配的通信基礎(chǔ)設(shè)施,以PLC光分路器為主要應(yīng)用的FTTH模式迎來了大規(guī)模的建設(shè)高潮,而PLC光芯片作為光分路器的核心功能器件,是影響光分路器技術(shù)指標和成本的重要因素,突破PLC光芯片的制造工藝難關(guān),不僅對我國的FTTH進程有著重要影響,而且對提升中國的產(chǎn)業(yè)技術(shù)水平,進而成為全球光分路器的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)制造基地,都具有重要的現(xiàn)實意義。

  二、PLC光芯片的工藝制造技術(shù)及優(yōu)特點分析

  PLC光分芯片是通過特殊的制造工藝,在一種基板材料上生成一種一入多出的樹枝狀光波導(dǎo)通道,當(dāng)光信號從輸出端進入時,會沿著光波導(dǎo)的路徑,分成多束光信號從輸出端射出,在PLC光芯片的輸入和輸出端耦合連接上FA(光纖陣列)和光纖端頭后,就可以完成正常的分光功能了。PLC光芯片的工作原理如圖1所示:

  圖1 PLC光芯片工作原理

  目前世界上PLC光芯片制造工藝主要有PECVD法(等離子體增強化學(xué)氣相淀積)和離子交換法,前者用的基板材料一般用石英玻璃,通過一種向上生長的工藝方法來形成光波導(dǎo)通道,其所采用的主要工藝技術(shù)和設(shè)備與半導(dǎo)體集成電路基本類似,其具有工藝技術(shù)穩(wěn)定、適于大批量生產(chǎn)等特點,由于其與半導(dǎo)體集成電路的生產(chǎn)工藝具有同源性,所以日本、韓國等半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)達的國家,這方面的生產(chǎn)優(yōu)勢比較明顯,而我國由于半導(dǎo)體集成電路制造水平目前仍不發(fā)達,所以用PECVD工藝生產(chǎn)PLC芯片,生產(chǎn)成本仍然偏高。目前國際上以PECVD技術(shù)生產(chǎn)PLC晶圓及芯片的廠家主要有中國的河南仕佳光子公司和韓國的Woorori公司。而離子交換法用的基板材料為玻璃,其工藝實現(xiàn)原理是采用一種特殊材質(zhì)的玻璃基板,通過濺射、顯影、光刻等工藝在基板上形成特定的光波導(dǎo)圖形,然后采用特殊配方的電解熔鹽,并加以適當(dāng)?shù)碾妶龊蜏囟龋栽诨宓南路叫纬晒獠▽?dǎo)通道的制造方法。這種工藝方法對離子交換設(shè)備及玻璃原材料等需要進行特殊研發(fā)及定制,需要攻克的工藝技術(shù)難關(guān)也較多,但技術(shù)一旦突破后,其生產(chǎn)工藝相對簡單,生產(chǎn)效率較高,工藝容差較大,芯片成本相對較低等優(yōu)勢將變得非常突出,是當(dāng)前性價比最高的PLC光芯片生產(chǎn)技術(shù),目前國際上以離子交換法生產(chǎn)PLC晶圓及芯片的廠家主要有深圳的中興新地公司和以色列的Colorchip公司。

  三、中興新地在離子交換工藝方面取得的技術(shù)突破

  由于離子交換法屬于電化學(xué)工藝的技術(shù)特點,所以對玻璃原材料、電化學(xué)工藝、特制生產(chǎn)設(shè)備等方面均要自行研發(fā),可借鑒的技術(shù)信息不多,技術(shù)難度較大,中興新地經(jīng)過多年技術(shù)攻關(guān),主要完成如下技術(shù)突破:

  1.基板用特殊光學(xué)玻璃研發(fā)

  玻璃基板作為離子交換的載體,對基于離子交換技術(shù)的PLC 光分路器的性能有著決定性的作用。為了制造出高性能的PLC光分路器芯片,玻璃基材需要滿足的要求主要包括:適合的堿金屬含量(以保證引入適合的折射率差)、合適的離子電導(dǎo)率、低透射損耗、穩(wěn)定的Ag+的環(huán)境、合適的折射率(與光纖匹配)、良好的化學(xué)穩(wěn)定性、高度各向同性、低缺陷(包括氣泡、皮紋等)等。經(jīng)過持續(xù)努力,中興新地完成了具有特定堿金屬成分的光學(xué)玻璃材料的研發(fā),其優(yōu)異的光學(xué)和電化學(xué)指標是保證離子交換工藝PLC芯片得以成功的關(guān)鍵。

  2.基于離子交換的電化學(xué)工藝研發(fā)

  離子交換的電化學(xué)工藝主要包括:一次離子交換、二次電場輔助掩埋法,其形成的波導(dǎo)截面示意圖參見圖2所示。

  圖2 兩種常見的離子交換法形成的波導(dǎo)

  一次離子交換主要通過純熱擴散,在玻璃表面形成光波導(dǎo),其折射率變化最大值位于玻璃表面(如圖4-a),光波在玻璃表面?zhèn)鬏敗2AП砻娴娜毕菔沟眠@種波導(dǎo)的傳輸損耗很高。所以一次交換后的芯片仍不具有可用性,還要通過二次電場輔助掩埋,將交換離子從玻璃表面推到玻璃內(nèi)部。中興新地通過不斷的工藝驗證和改進,摸索出了一套可靠的電化學(xué)交換工藝。其優(yōu)異的光學(xué)性能指標達到了產(chǎn)品化的要求。

  3.特制生產(chǎn)設(shè)備研發(fā)

  離子交換工藝生產(chǎn)PLC光波導(dǎo)芯片,在完成工藝原理及參數(shù)的配置后,就可以在實驗室完成樣片的生產(chǎn),但要實現(xiàn)大批量的工業(yè)化生產(chǎn),則對生產(chǎn)設(shè)備、生產(chǎn)工藝流程控制、器件良率等提出了較高的要求,否則將無法實現(xiàn)批量生產(chǎn)而不具有可用性。在當(dāng)前國際市場上,除中國外,只有以色列的Colorchip公司實現(xiàn)了離子交換工藝的大批量生產(chǎn),而中國雖然有一些高校的研發(fā)團隊在實驗室也完成了相關(guān)工藝探索和樣片生產(chǎn),但由于缺乏產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗,所以批量化生產(chǎn)都不很成功,中興新地基于多年的通信鏈路設(shè)備生產(chǎn)經(jīng)驗,有一支產(chǎn)業(yè)化技術(shù)經(jīng)驗豐富的研發(fā)和生產(chǎn)隊伍,在沒有可借鑒的生產(chǎn)設(shè)備的基礎(chǔ)上,結(jié)合購買、自研和綜合化改造,完成了適應(yīng)大批量生產(chǎn)的前端工藝處理設(shè)備、一次交換爐、二次交換爐、交換工裝治具、批量性能指標檢測設(shè)備等一大批專用設(shè)備及治具研發(fā),從而保證了PLC光芯片的大批量生產(chǎn)。

  四、中興新地離子交換工藝PLC光芯片的產(chǎn)業(yè)化現(xiàn)狀

  2011年8月,項目立項。并開展與IEP公司的技術(shù)合作。為加快研發(fā)進程,2011年12月與北京大學(xué)深圳研究生院成立光器件聯(lián)合實驗室,綜合北京大學(xué)在半導(dǎo)體制造方面的技術(shù)優(yōu)勢共同研發(fā)PLC光芯片的前端濺射鍍膜、顯影、光刻等技術(shù)工藝。參見圖3。在2012年至2013年的2年時間內(nèi),陸續(xù)完成了具有優(yōu)異光學(xué)性能的玻璃基板材料研發(fā),超凈離子交換工藝生產(chǎn)平臺建設(shè),具有生產(chǎn)穩(wěn)定性的離子交換工藝的研發(fā)等工作,在2013年底生產(chǎn)出了第一片具有工藝穩(wěn)定性的離子交換PLC晶圓,目前已可以生產(chǎn)1X2~1X64全系列的光分路器芯片,產(chǎn)品指標完全符合國際GR-1209-CORE、GR-1221-CORE標準和中國平面光波導(dǎo)集成光路器件行業(yè)標準的指標要求。參見圖4。

  圖3 北京大學(xué)-中興新地光器件聯(lián)合實驗室成立

  圖4 PLC晶圓及芯片

  經(jīng)過2年多的不斷生產(chǎn)、工藝改進和規(guī)模擴充,目前已具有日產(chǎn)能達6萬粒芯片/天(按1X8計算)的生產(chǎn)能力,以及配套的切割,研磨和封裝車間,形成了可向客戶提供PLC晶圓、芯片、U槽及V槽、FA、裸器件及光分路器成品的全套的供貨能力,參見圖5,圖6。

  圖5 超凈PLC光芯片生產(chǎn)車間

  圖6 PLC芯片配套生產(chǎn)車間

  五、中興新地PLC光芯片成功產(chǎn)業(yè)化的現(xiàn)實意義

  中興新地通過基于離子交換工藝的PLC光芯片技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化,打破了韓國以PECVD技術(shù)為主導(dǎo)的PLC光芯片的技術(shù)壟斷,另辟蹊徑開創(chuàng)了一條低成本的高性能PLC光芯片生產(chǎn)技術(shù)路線,在PLC芯片的研發(fā)過程中,中興新地廣泛開展與高校的技術(shù)合作,同時獲得了深圳市政府的多項技術(shù)獎勵,成功探索出了一條產(chǎn)、學(xué)、研結(jié)合的高新技術(shù)產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化道路,通過PLC芯片的技術(shù)突破,中興新地已實現(xiàn)了PLC光分路器產(chǎn)品的全產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋,大大增強了技術(shù)創(chuàng)新能力和生產(chǎn)實力。據(jù)2015年發(fā)貨數(shù)據(jù)統(tǒng)計,中興新地光分路器系列產(chǎn)品發(fā)貨量已占國內(nèi)三大運營商總采購量的15%,成為國內(nèi)第一大光分路器生產(chǎn)廠商,這也標志著中興新地已成為全球最大的光分路器生產(chǎn)廠家。離子交換工藝PLC晶圓及芯片的大批量投產(chǎn),可以明顯降低光分路器成品的制造成本,進而降低FTTH網(wǎng)絡(luò)建設(shè)的成本投入,同時,對提高中國光通信類產(chǎn)品的技術(shù)附加值和國際競爭力,也具有重要意義。技術(shù)的研發(fā)和探索永遠都沒有止境,該項目的成功將進一步激發(fā)全體新地人的開拓進取精神,并將與國內(nèi)同行一起,共同努力,為實現(xiàn)光通信事業(yè)的發(fā)展而繼續(xù)奮斗。

        作者:付勇 焦俊濤 (中興新地)

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