敏芯半導(dǎo)體推出10G全系列EML光芯片產(chǎn)品

  ICC訊 在 2017 年工信部發(fā)布的《中國光電子器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展路線圖(2018-2022 年)》中，明確指出了光芯片和光模塊的發(fā)展路線和規(guī)劃，提出將全面提速 DFB\EML\VCSEL 等光芯片的國產(chǎn)化進(jìn)程，具體要求 10G EML芯片的自供率在 2022 年提升至 80%。

  隨著我國光通信網(wǎng)絡(luò)建設(shè)的快速推進(jìn)，敏芯半導(dǎo)體現(xiàn)已推出10G全系列EML芯片產(chǎn)品，包含10G 1577 EML/10G 1550 TDM EML/10G DWDM EML(C波段40波)，為國內(nèi)外客戶提供全系列EML產(chǎn)品與服務(wù)。目前該系列產(chǎn)品已取得客戶認(rèn)證并批量出貨。

敏芯半導(dǎo)體 10G EML CHIP實(shí)物圖

  我國通信網(wǎng)絡(luò)整體架構(gòu)主要包括無線接入網(wǎng)，有線接入網(wǎng)和傳輸網(wǎng)三大應(yīng)用領(lǐng)域。敏芯半導(dǎo)體的EML光芯片產(chǎn)品在10G PON升級、長距傳輸及長距密波分復(fù)用領(lǐng)域?yàn)閺V大客戶提供全系列解決方案。

  在傳輸網(wǎng)應(yīng)用領(lǐng)域，一般為40km/80km長距離傳輸，對信號的質(zhì)量有著很高的要求，普通DFB(直調(diào)激光器)光芯片產(chǎn)品由于存在啁啾等問題，無法保證長距離傳輸?shù)男盘栙|(zhì)量，EML(電吸收調(diào)制激光器)是最佳解決方案。EML(電吸收調(diào)制激光器)的原理復(fù)雜、工藝技術(shù)難度大，目前此領(lǐng)域仍被國外芯片廠家壟斷。

  傳輸網(wǎng)處于信息匯聚的干線位置，對光芯片的壽命及可靠性更高的要求。由于EML(電吸收調(diào)制激光器)相比普通DFB(直調(diào)激光器)是穩(wěn)定發(fā)光光源+外調(diào)制的工作原理。此工作特點(diǎn)決定了EML比DML激光器在實(shí)際應(yīng)用場景中有更好的健壯性，更加符合傳輸網(wǎng)對激光器高可靠性的要求。

  傳輸網(wǎng)應(yīng)用場景中由于傳輸距離較長，導(dǎo)致光纖資源更加緊張，通過增加光纖進(jìn)行數(shù)據(jù)擴(kuò)容的難度及成本更大。業(yè)內(nèi)廣泛采用DWDM(密集波分復(fù)用)產(chǎn)品進(jìn)行擴(kuò)容。在不增加光纖的條件下，通過增加擴(kuò)展接口來增加數(shù)據(jù)容量。

DWDM EML示意圖

  EML芯片采用EAM與DFB集成的方式組成(如下圖)。通過EA外調(diào)制的方法提升信號傳輸質(zhì)量及產(chǎn)品可靠性，實(shí)現(xiàn)傳輸網(wǎng)應(yīng)用領(lǐng)域光信號的長距離穩(wěn)定傳輸。

  EML芯片集成方式

  敏芯半導(dǎo)體10G EML激光器系列采用InGaAsP/InP多量子阱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和BH工藝，具有低功耗、高帶寬、高可靠性等特點(diǎn)。為便于追溯，芯片正表面提供十進(jìn)制數(shù)字編碼。

  10G 1550nm/DWDM EML

  10G 1550nm/DWDM EML激光器，通過客戶端的眼圖測試及傳纖測試評估，可滿足傳輸網(wǎng)40/80km傳輸要求。

  性能指標(biāo)

  DWDM波長分布

  三溫典型眼圖

  10G 1577nm EML

  10G 1577nm EML激光器，應(yīng)用于有線接入網(wǎng)10G PON OLT端。

性能指標(biāo)

三溫典型眼圖

  作為光通信領(lǐng)域全系列光芯片供應(yīng)商，敏芯半導(dǎo)體持續(xù)深耕于光通信領(lǐng)域。未來，敏芯半導(dǎo)體將一如既往地秉承“做好每一顆光芯片，讓世界愛上中國芯”的使命，陸續(xù)推出性能更優(yōu)，速率更高的光芯片產(chǎn)品，為客戶提供更多更可靠的光芯片方案選擇，讓世界愛上中國芯。