蘇州易纜微發(fā)布創(chuàng)新性異質(zhì)集成平臺HISP? 助力鈮酸鋰產(chǎn)業(yè)升級

  ICC訊 6月14-15日，2024年鈮酸鋰產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新生態(tài)大會Lithium Niobate Industry Innovation & Ecology Conference（LIIEC-2024）于蘇州納米城圓滿舉行。

  此次大會匯聚了來自鈮酸鋰產(chǎn)業(yè)及學術界的眾多參會者們，包括產(chǎn)業(yè)上游的材料供應商、晶圓器件制造商，量子計算和聲學光學領域的行業(yè)領袖，下游的用戶端，以及各知名高校、研究機構(gòu)的專家學者們也都匯聚在此，分享鈮酸鋰領域最新的成果與挑戰(zhàn)，探討未來的發(fā)展方向。

  蘇州易纜微受邀會議并作報告分享

  鈮酸鋰產(chǎn)業(yè)近年來發(fā)展迅速，吸引了眾多從業(yè)者和學術界的關注目光。隨著AIGC產(chǎn)業(yè)帶動算力需求的快速上升，數(shù)據(jù)中心與數(shù)據(jù)中心集群的數(shù)量持續(xù)增長，數(shù)據(jù)儲存與數(shù)據(jù)交換面臨巨大的壓力，而鈮酸鋰作為光通信領域的關鍵光學材料之一，在行業(yè)突破的節(jié)點上被寄予了厚望。

  本次大會上，蘇州易纜微董事長陳偉博士應邀出席分享報告，并發(fā)布了具有革新意義的硅基異質(zhì)集成鈮酸鋰薄膜平臺“HISP®”。

  HISP®技術平臺，助力AI場景下新一代數(shù)據(jù)中心升級

  蘇州易纜微此次的分享報告題為《硅基異質(zhì)集成薄膜鈮酸鋰技術平臺，助力AI場景下新一代數(shù)據(jù)中心升級》。新一代AI數(shù)據(jù)中心運營對光模塊的要求包括更大帶寬、更高速率、更低損耗、更低成本以及更低延時等，為硅基光電子技術應用于AI領域提供了場景與發(fā)展方向。

  蘇州易纜微的硅基異質(zhì)集成薄膜鈮酸鋰技術平臺——HISP®，充分利用了硅光無源、薄膜鈮酸鋰有源調(diào)制以及高線性度的優(yōu)勢，將助力硅基光電子技術在Al領域快速應用。

  HISP®技術平臺優(yōu)勢

  HISP®譯為“Heterogeneous Integration Silicon Photonics”，也可譯為“Hybrid Integration Silicon Photonics”。目前，蘇州易纜微HISP®商標已在中國、歐盟、美國、瑞士、日本等地區(qū)申請并已順利獲得授權(quán)。

  蘇州易纜微基于HISP®平臺所研發(fā)的硅光子芯片，片上無源光器件采用成熟的CMOS工藝制備集成，可有效降低單片成本，并做到規(guī)?；慨a(chǎn)；片上集成的有源電光調(diào)制器，薄膜鈮酸鋰調(diào)制器相比于硅光調(diào)制器具備更低的插損，同樣的輸出功率對應更少的激光器數(shù)量或者更低的激光器規(guī)格，從而降低光引擎的整體成本；薄膜鈮酸鋰MZ調(diào)制器經(jīng)光學及行波電極設計，可實現(xiàn)大于67GHz的電光調(diào)制帶寬，能夠支持單波200Gbps高速信號調(diào)制，滿足AI數(shù)據(jù)中心高帶寬的需求；除此之外，鈮酸鋰材料線性電光調(diào)制機理有助于實現(xiàn)高線性度的電光調(diào)制，為AI數(shù)據(jù)中心時延及功耗的需求帶來較大的收益。

  HISP®技術平臺可匹配客定化需求

  蘇州易纜微基于HISP®平臺所開發(fā)的調(diào)制器芯片，完全定制化的片上調(diào)制器設計，可以適配客戶不同的需求，如傳輸距離從100m到80km，LPO等應用場景。以適用于LPO光模塊的薄膜鈮酸鋰調(diào)制器芯片為例，這一方案與傳統(tǒng)硅光方案比較，具備更高的帶寬、調(diào)制線性度以及更低的插損，優(yōu)化掉DSP芯片的數(shù)字信號計算和處理，從而有效降低光模塊的功耗及時延，滿足AI場景低功耗、高速率的需求，該方案也將是未來數(shù)據(jù)中心和DCI光模塊產(chǎn)品的最佳解決方案之一。

  HISP®技術平臺將持續(xù)完善

  蘇州易纜微將始終秉持“創(chuàng)新驅(qū)動未來”的理念，一方面將繼續(xù)加深對HISP®平臺的搭建，將更高速率、更高良率、更低能耗的硅光子芯片和光引擎通過HISP®平臺輸出；同時，蘇州易纜微也希望聯(lián)合行業(yè)上下游的合作伙伴們，不斷拓展更多行業(yè)的應用場景，一起探索鈮酸鋰材料更廣闊的世界。