長光華芯二期項目在太湖科學(xué)城功能片區(qū)封頂

  ICC訊 日前，長光華芯二期項目“先進(jìn)化合物半導(dǎo)體光電平臺”在太湖科學(xué)城功能片區(qū)正式封頂，將建設(shè)國內(nèi)一流的半導(dǎo)體激光芯片研發(fā)及生產(chǎn)平臺，為區(qū)域半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展添勢蓄能。

項目封頂現(xiàn)場

  蘇州長光華芯光電技術(shù)股份有限公司于2012年在江蘇蘇州成立，致力于高功率半導(dǎo)體激光器芯片、激光雷達(dá)與3D傳感芯片、高速光通信半導(dǎo)體激光芯片及器件和系統(tǒng)的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，是全球少數(shù)幾家研發(fā)和量產(chǎn)高功率半導(dǎo)體激光器芯片的公司。

  目前，長光華芯已建成從芯片設(shè)計、MOCVD（外延）、光刻、解理/鍍膜、封裝測試、光纖耦合等完整的工藝平臺和量產(chǎn)線，公司高亮度單管芯片和光纖耦合輸出模塊、高功率巴條和疊陣等產(chǎn)品，在功率、亮度、光電轉(zhuǎn)換效率、壽命等方面屢次突破，獲多項專利，與全球先進(jìn)水平同步。

  據(jù)悉，“先進(jìn)化合物半導(dǎo)體光電平臺”項目總占地面積約31畝，對標(biāo)國際頂尖水準(zhǔn)，建設(shè)生產(chǎn)中心、研發(fā)中心和動力站及配套設(shè)施，打造基于多種化合物半導(dǎo)體的光電與電子器件的材料、工藝以及封裝技術(shù)開發(fā)的先進(jìn)器件研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化平臺。該項目被列入江蘇省重點工程，是繼2022年8月8日長光華芯搬遷新基地后的又一重大工程，于2023年開工，預(yù)計2025年建成并全面投產(chǎn)。此次二期項目封頂，標(biāo)志著長光華芯在多種化合物半導(dǎo)體光電芯片、器件等方面的產(chǎn)能、研發(fā)水平、橫向擴(kuò)展和縱向延伸能力邁上新臺階。

  筑巢引鳳、招大引強，高質(zhì)量的產(chǎn)業(yè)載體是吸引優(yōu)質(zhì)項目、實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級的重要基礎(chǔ)和保障。近日，太湖科學(xué)城功能片區(qū)一批地標(biāo)性優(yōu)質(zhì)產(chǎn)業(yè)載體迎來新進(jìn)展。

  醫(yī)療器械科技產(chǎn)業(yè)園總部基地（五期）項目位于醫(yī)療器械產(chǎn)業(yè)園南區(qū)北側(cè)，占地約134畝，總建筑面積38.8萬平方米，地上面積30.7萬平方米，由研發(fā)樓和9棟廠房組成，計劃打造成全國及區(qū)域總部基地、亞太及全國性大健康產(chǎn)業(yè)研發(fā)中心。目前，項目主體已施工至3層，預(yù)計2025年6月竣工驗收。

  國仟醫(yī)療產(chǎn)業(yè)園項目位于呂梁山路以北，潯陽江路東側(cè)，占地約50畝，總建筑面積約11萬平方米，地上面積8.8萬平方米，由6幢低密度高標(biāo)準(zhǔn)廠房組成，打造集創(chuàng)業(yè)孵化、基金投資、產(chǎn)業(yè)投資、高標(biāo)準(zhǔn)廠房等高端醫(yī)療健康企業(yè)從初創(chuàng)到成長全生命周期所需要的核心要素為一體的生態(tài)閉環(huán)，助力太湖科學(xué)城功能片區(qū)健康產(chǎn)業(yè)發(fā)展跨上新的臺階。目前，項目主體已封頂，幕墻及市政工程施工中，預(yù)計2024年12月竣工驗收。

  接下來，太湖科學(xué)城功能片區(qū)將堅持招大引強、培優(yōu)育強，抓好“兩產(chǎn)兩進(jìn)”，久久為功，奮力交出高分報表，不斷推動重點項目快推進(jìn)、早達(dá)效，塑造高質(zhì)量發(fā)展新動能、新優(yōu)勢。