總金額70億元！三安光電與格力電器/先導(dǎo)高芯簽訂股份認(rèn)購合同

  ICCSZ訊 2月17日，三安光電發(fā)布公告稱，公司擬以17.56元/股價(jià)格非公開發(fā)行股票不超過398,633,257股(含398,633,257股)募集資金總額不超過700,000萬元，其中，先導(dǎo)高芯擬認(rèn)購金額為500,000萬元，格力電器擬認(rèn)購金額為200,000萬元。募集資金擬投入半導(dǎo)體研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目(一期)。

  根據(jù)再融資新規(guī)，公司修訂非公開發(fā)行股票預(yù)案。定價(jià)方式調(diào)整為不低于定價(jià)基準(zhǔn)日前20個(gè)交易日公司股票交易均價(jià)的80%;鎖定期調(diào)整為先導(dǎo)高芯、格力電器認(rèn)購的股票自發(fā)行結(jié)束之日起18個(gè)月內(nèi)不得轉(zhuǎn)讓(修訂前為36個(gè)月內(nèi)不得轉(zhuǎn)讓)。

  據(jù)了解，三安光電此次募集資金擬投入“半導(dǎo)體研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目(一期)”(規(guī)劃總投資約138億元)。主要投向中高端產(chǎn)品，包括高端氮化鎵LED外延芯片、高端砷化鎵LED外延芯片、Mini/Micro LED、大功率三基色激光器、車用LED照明、大功率高亮度LED、紫外/紅外LED、太陽能電池芯片等。

  三安光電表示，隨著本次募投項(xiàng)目的順利實(shí)施，在前期產(chǎn)業(yè)布局基礎(chǔ)上，本次募投項(xiàng)目的主要產(chǎn)品將填補(bǔ)國內(nèi)空白， 公司提高在高端、新興應(yīng)用領(lǐng)域產(chǎn)品的產(chǎn)能，加快產(chǎn)品結(jié)構(gòu)升級(jí)，提升市場(chǎng)份額， 順應(yīng) LED 行業(yè)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)調(diào)整的發(fā)展趨勢(shì)。

  資料顯示，三安光電主要從事化合物半導(dǎo)體材料的研發(fā)與應(yīng)用，以砷化鎵、氮化鎵、碳化硅、磷化銦、氮化鋁、藍(lán)寶石等半導(dǎo)體新材料所涉及的外延片、芯片為核心主業(yè)。

  根據(jù)預(yù)案顯示，三安光電半導(dǎo)體研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目(一期)建設(shè)主要包括三大業(yè)務(wù)板塊及公共配套建設(shè)，三大業(yè)務(wù)板塊分別為：氮化鎵(GaN)業(yè)務(wù)板塊、砷化鎵(GaAs)業(yè)務(wù)板塊、特種封裝業(yè)務(wù)板塊。

  本次募投項(xiàng)目實(shí)施后，將建成包括高端氮化鎵 LED 襯底、外延、芯片;高 端砷化鎵 LED 外延、芯片;大功率氮化鎵激光器;特種封裝產(chǎn)品應(yīng)用四個(gè)產(chǎn)品 方向的研發(fā)、生產(chǎn)基地。其中，各業(yè)務(wù)板塊具體的產(chǎn)能規(guī)劃如下：

  1、氮化鎵業(yè)務(wù)板塊：(1)年產(chǎn)GaN芯片 769.20 萬片，其中：第五代顯 示芯片(Mini 背光/Micro LED)161.60 萬片/年、超高效節(jié)能芯片 530.80 萬片/ 年、紫外(UV)芯片 30.80 萬片/年、大功率芯片 46.00 萬片/年;(2)PSS 襯底 年產(chǎn) 923.40 萬片;(3)大功率激光器年產(chǎn) 141.80 萬顆。

  2、砷化鎵(GaAs)業(yè)務(wù)板塊：(1)年產(chǎn) GaAs LED 芯片 123.20 萬片，其中：第五 代顯示芯片(Mini/Micro LED)17.60 萬片/年、ITO 紅光芯片 34.90 萬片/年、RS 紅光芯片 19.10 萬片/年、高功率紅外產(chǎn)品 14.20 萬片/年、植物生長燈芯片 14.40 三安光電股份有限公司 2019 年度非公開發(fā)行 A 股股票預(yù)案 24 萬片/年、大功率戶外亮化芯片 7.20 萬片/年、車用級(jí)芯片 7.00 萬片/年、醫(yī)療健 康芯片 8.80 萬片/年;(2)年產(chǎn)太陽電池芯片 40.50 萬片，其中：商用衛(wèi)星電池 13.50 萬片/年、臨近空間裝置 27.00 萬片/年。

  3、特種封裝業(yè)務(wù)板塊：(1)UV LED 封裝 81.40kk/年;(2)Mini LED 芯 片級(jí)封裝 8,483.00 kk/年;(3)車用級(jí) LED 封裝 57.80kk/年;(4)大功率 LED 封裝 63.20kk/年;(5)IR LED 封裝 39.00kk/年。

  從上面的介紹來看，此次三安光電募資的70億主要都是計(jì)劃投向以砷化鎵、氮化鎵為代表的高端化合物半導(dǎo)體的研發(fā)與應(yīng)用。

  之前，三安光電在回復(fù)投資者問題時(shí)表示，公司將鞏固LED龍頭企業(yè)地位，力促光電業(yè)的發(fā)展，致力于化合物半導(dǎo)體集成電路業(yè)務(wù)成為全球行業(yè)領(lǐng)先企業(yè)，努力打造具有國際競爭力的半導(dǎo)體廠商。

  在氮化鎵方面，三安光電表示，目前，公司氮化鎵產(chǎn)能約2000片每月，產(chǎn)能還在增加。